Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50242.9501a

Переводная версия: 10.1134/S1063782620120313

The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, Research of neuromorphic big data processing systems and technologies for their productionгосударственное задание, 0065-2019-0003

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0718-2020-0031

Привезенцев В.В.

^1,2, Сергеев А.П.¹, Куликаускас В.С.³, Киселев Д.А.

⁴, Трифонов А.Ю.^5,6, Терещенко А.Н. ⁷

¹Научно-исследовательский институт системных исследований РАН, Москва, Россия Federal State Institution "Federal Scientific Center Scientific Research Institute of System Analisys of the Russian Academy of Sciences", Moscow, Russia

Federal State Institution "Federal Scientific Center Scientific Research Institute of System Analisys of the Russian Academy of Sciences", Moscow, Russia

²Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия Valiev Institute of Physics and Technology of RAS, Moscow, Russia

³Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

⁴Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия National University of Science and Technology "MISiS", Moscow, Russia

⁵Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

⁶Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия Lukin Scientific Research Institute of Physical Problems, Moscow, Zelenograd, Russia

Lukin Scientific Research Institute of Physical Problems, Moscow, Zelenograd, Russia

⁷Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Email: privezentsev@ftian.ru, seralpet@yandex.ru, dm.kiselev@misis.ru, tan@issp.ac.ru

Поступила в редакцию: 5 августа 2020 г.

В окончательной редакции: 15 августа 2020 г.

Принята к печати: 15 августа 2020 г.

Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Подложки Si, выращенные методом Чохральского (n-тип, ориентация (100)), были подвергнуты двойной имплантации: вначале ионами ⁶⁴Zn⁺ с дозой 5·10¹⁶ см^-2 и энергией 50 кэВ, а затем ионами ¹⁶O⁺ с дозой 2·10¹⁷ см^-2 и энергией 20 кэВ. Во время имплантации температура подложки поддерживалась ~ 350^oC. После имплантации Si-подложка содержит радиационные дефекты и их кластеры: двойники, дислокации, а также нанокластыры (НК), а, именно, на поверхности и в приповерхностном слое подложки образовались Zn-содержащие НК со средним радиусом 10-50 нм преимущественно из фазы металлического Zn и частично из фазы ZnO. После фотонного отжига до эффективной температуры 700^oС, оптимальной для получения фазы ZnO, радиационные дефекты отожглись, а на поверхности образца зафиксированы Zn-содержащие НК, предположительно, состоящие из фазы ZnO и частично из фазы Zn₂SiO₄ со средним диаметром 50-100 нм. Ключевые слова: кремниевая подложка, цинк, кислород, горячая имплантация, наночастицы, ZnO.

Nanoclusters and Nanocrystals, H. Singh Nalwa (ed.) (Hitachi, Japan, 2003)
C. Flytzanis, F. Haqche, M.C. Klein, D. Ricard, Ph. Roussignol. In Prog.Optics, E.Wolf (ed.), (North Holland, Amsterdam, 1999) p. 29, 321
S. Chu, M. Olmedo, Zh. Yang, J. Kong, J. Liu et al. Appl. Phys. Lett., 93, 181106 (2008)
C.Y. Jiang, X.W. Sun, G.Q. Lo, D.L. Kwong, J.X. Wang. Appl. Phys. Lett., 90, 263501 (2007)
G.P. Smestad, M. Gratzel. J. Chem. Educ., 75, 752 (1998)
C. Li, Y. Yang, X.W. Sun, W. Lei, X.B. Zhang, B.P. Wang, J.X. Wang, B.K. Tay, J.D. Ye, G.Q. Lo, D.L. Kwong. Nanotechnology, 18, 135604 (2007)
B.B. Straumal, A.A. Mazilkin, S.G. Protasova, A.A. Myatiev, P.B. Straumal, G. Schutz, P.A. van Aken, E. Goering, B. Baretzky. Phys. Rev. B, 79, 205206 (2009)
J.S. Dodds1, F.N. Meyers, K.J. Loh. Smart Structures and Systems, 12, 055 (2013)
A. Sirelkhatim, S. Mahmud, A. Seeni, N.H.M. Kaus, L.C. Ann, S.K. ohd Bakhori, H. Hasan, D. Mohamad. Nano-Micro Lett., 7, 219 (2015)
S. Inbasekaran, R. Senthil, G. Ramamurthy, T.P. Sastry. Intern. J. Innov // Res. Sci. Eng. Technol., 3, 8601 (2014)
H. Amekura, Y. Takeda, N. Kishimoto. Mater. Lett., 222, 96 (2011)
Y.Y. Shen, X.D. Zhang, D.C. Zhang, Y.H. Xue, L.H. Zhang, C.L. Liu. Mater. Lett., 65, 2966 (2011)
V. Privezentsev, V. Kulikauskas, E. Steinman, A. Bazhenov. Phys. Status Solidi C, 10, 48 (2013)
V.V. Privezentsev, V.S. Kulikauskas, V.V. Zatekin, D.V. Petrov, A.Yu. Trifonov, A.A. Batrakov. J. Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 9 (3), 486 (2015)
J.F. Ziegler, J.P. Biersack. SRIM 2013 (http://www.srim.org)
G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud. Appl. Phys. Lett., 80, 4834 (2002)
Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23 (11), 651 (1976)
E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya. Semicond. Sci. Technol., 14, 582 (1999)
R. Sauer, Ch. Kisielowski-Kemmerich, H. Alexander. Phys. Rev. Lett., 57, 1472 (1986)
A.N. Izotov, A.I. Kolyubakin, S.A. Shevchenko, E.A. Steinman. Phys. Status Solidi A, 130, 193 (1992).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель