Вышедшие номера
Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
Переводная версия: 10.1134/S1063782620110123
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 16-12-10106
Калинина Е.В.1, Кудояров М.Ф.1, Никитина И.П.1, Иванова Е.В.1, Забродский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Evk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.

Представлены результаты исследования влияния облучения тяжелыми ионами Ar на структурные и оптические характеристики 4H-SiC. Показано, что в результате уже однократного облучения ионами Ar с энергией 53 МэВ, флюенсом 1·1010 см-2 в структуре карбида кремния преобладают как минимум две мощные локальные области с отрицательной деформацией. Наряду с этим в структуре наблюдается также область с положительной деформацией. Формирование локализованных кластеров с отрицательной и положительной деформациями наряду с ненарушенной матрицей сопровождается образованием дефектов линейного типа, частично снимающих напряжения в структуре. Предполагается, что возникающая сложная дефектная структура при облучении ионами Ar обеспечивает эффект геттерирования точечных дефектов и приводит к значениям квантовой эффективности ультрафиолетовых 4H-SiC-фотоприемников на уровне исходных образцов. Ключевые слова: карбид кремния, облучение ионами Ar, квантовая эффективность.
  1. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85 (17), 3780 (2004)
  2. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Appl. Phys. Lett., 110, 083503 (2017)
  3. L. Storasta, F.H.C. Carisson, S.G. Shidhara, A. Aberg, J.P. Bergman, A. Hallen, E. Jznzen. Mater. Sci. Forum, 353--356, 431 (2001)
  4. D.M. Martin, H. Kortegaard Nielsen, P. Leveque, A. Hallen. Appl. Phys. Lett., 84 (10), 1704 (2004)
  5. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37 (10), 1260 (2003)
  6. X.D. Chen, S. Fung, C.C. Ling, C.D. Beling. J. Appl. Phys., 94 (5), 3004 (2003)
  7. Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, И.П. Никитина, М.А. Яговкина, Е.В. Иванова, В.В. Забродский. ФТП, 53 (6), 856 (2019)
  8. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, А. Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38 (10), 1223 (2004)
  9. Е.В. Калинина, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А.М. Стрельчук, Г.Н. Виолина. ФТП, 44 (6), 807 (2010)
  10. Е.В. Калинина, А.А. Лебедев, Е. Богданова, B. Berenquie, L. Ottaviani, Г.Н. Виолина, В.А. Скуратов. ФТП, 49 (4), 550 (2015)
  11. M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii. Instrum. Exp. Techn., 4, 477 (2004)
  12. A. Gottwald, U. Kroth, M. Richter, H. Schoppe, G. Ulm. Meas. Sci. Technol., 21, 125101 (2010)
  13. F.L. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu. Appl. Phys. Lett., 152, 889 (1988)
  14. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, Изд-во Нижегор. гос. ун-та, 2020) ч. 1, гл. 3
  15. M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
  16. A. Fissel, W. Richter, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Appl. Phys. Lett., 78, 2512 (2001)
  17. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Cоколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  18. W.J. Choyke. In: Proc. Int. Conf. on Radiation Effects in Semiconductors (IOP Conf. Proc. Institute of Physics and Physical Society, London, 1977) p. 58
  19. T.V. Blank, Y.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Nuclear Instr. Meth. A, 509, 109 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.