Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире

Павлов Д.А.¹, Шиляев П.А.¹, Пирогов А.В.¹, Кривулин Н.О.¹, Бобров А.И.¹, Пегасина М.Д.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

PDF версия

На начальных стадиях гетероэпитаксии кремния на сапфире экспериментально обнаружено образование наноостровков двух форм: куполообразных и в форме усеченного купола. Получены снимки атомарного разрешения островков кремния на сапфире методом просвечивающей электронной микроскопии. В работе предложена модель, объясняющая нестабильность формы островков и их переход от изотропности к анизотропии формы, а также описывающая эволюцию средних геометрических размеров островков с увеличением времени роста. Показано, что зависимость диаметра от высоты близка к линейной, но при больших размерах островков наблюдается значительное расхождение с экспериментальными данными вследствие процесса коалесценции, который не учитывается моделью.

А.С. Адонин. Электрон. компоненты, N 3, 1 (2000)
E.D. Richmond, M.E. Twigg, S. Qadri, J.B. Pellegrino, M.T. Duffey. Appl. Phys. Lett., 56 (25), 2551 (1990)
П.А. Шиляев, Д.А. Павлов, Е.В. Коротков, М.В. Треушников. Материалы электрон. техники. N 2, с. 62--66 (2008)
Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.В. Коротков, А.В. Пирогов. Вестн. ННГУ, N 1, 41 (2011)
Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.В. Коротков, Н.О. Кривулин. Письма ЖТФ, 36 (12), 16 (2010)
J.C. Nie, H. Yamasaki, Y. Mawatari. Phys. Rev. B, 70, 195 421 (2004)
V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
O.L. Alerhand, D. Vanderbilt, R.D. Meade, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. Lett., 61, 1973 (1988)
Adam Li, Feng Liu, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 85, 1922 (2000)
M.T. Middel, H.J.W. Zandvliet, B. Poelsema. Phys. Rev. Lett., 88, 196 105 (2002)
J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 70, 2782 (1993)
V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 51, 10 104 (1995)
A.A. Stekolnikov, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 65, 115 318 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель