Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур
Марков Л.К.1, Смирнова И.П.1, Кукушкин М.В.1, Павлюченко А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
Комбинированным методом, при котором плазмохимическое травление применяется в паре с жидкостным (в растворах KOH или соляной кислоты), создавался рельеф на поверхности GaN, предварительно освобожденной от ростовой подложки. Изучалась зависимость получаемого рельефа от последовательности применяемых операций. Показано, что травление в растворе KOH с последующей стадией реактивного ионного травления обеспечивает появление на поверхности усеченных пустотелых конусов. В экспериментах также была обнаружена способность раствора соляной кислоты к травлению исключительно наноразмерных элементов рельефа GaN, возникающих при плазмохимическом травлении поверхности. Как следствие, плазмохимическое травление образца с последующим погружением в раствор соляной кислоты создает на его поверхности объекты цилиндрической формы, переходящие в основании в конические или сильно искаженные пирамидальные структуры. Появление рельефа такого вида может быть объяснено превалированием химической составляющей плазмохимического травления по мере удаления от поверхности образца. Дальнейшая оптимизация параметров рельефа, получаемого в результате комбинированного травления, возможна благодаря варьированию режимов применяемых операций. Ключевые слова: нитрид галлия, рельеф, реактивное ионное травление, жидкостное травление, светоизлучающий диод, светоизлучающий кристалл.
- H. Jia, L. Guo, W. Wang, H. Chen. Adv. Mater., 21, 4641 (2009)
- J.K. Sheu, S.J. Chang, C.H. Kuo, Y.K. Su, L.W. Wu, Y.C. Lin, W.C. Lai, J.M. Tsai, G.C. Chi, R.K. Wu. IEEE Photon. Technol. Lett., 15, 18 (2003)
- M.C. Schmidt, K.C. Kim, R.M. Farrell, D.F. Feezell, D.A. Cohen, M. Saito, K. Fujito, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 2, Lett., 46, L190 (2007)
- Y.-C. Chi, D.-H. Hsieh, C.-T. Tsai, H.-Y. Chen, H.-C. Kuo, G.-R. Lin. Opt. Express, 23, 13051 (2015)
- T. Kachi. Jpn. J. Appl. Phys., 53, 100210 (2014)
- A.M. Armstrong, A.A. Allerman, A.J. Fischer, M.P. King, M.S. Van Heukelom, M.W. Moseley, R.J. Kaplar, J.J. Wierer, M.H. Crawford, J.R. Dickerson. Electron. Lett., 52, 1170 (2016)
- F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys., 57, 086502 (2018)
- N. Asai, H. Ohta, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima. Jpn. J. Appl. Phys., 58, SCCD05 (2019)
- D. Ge, X. Huang, J. Wei, P. Qian, L. Zhang, J. Ding, S. Zhu. Mater. Res. Express, 6, 086201 (2019)
- H.H. Yen, H.C. Kuo, W.Y. Yeh. Phys. Status Solidi C, 5, 2152 (2008)
- J.H. Kang, J.H. Ryu, H.K. Kim, H.Y. Kim, N. Han, Y.J. Park, P. Uthirakumar, C.-H. Hong. Opt. Express, 19, 3637 (2011)
- R.H. Horng, C.C. Yang, J.Y. Wu, S.H. Huang, C.E. Lee, D.S. Wuu. Appl. Phys. Lett., 86, 221101 (2005)
- H. Huang, J. Hu, H. Wang. J. Semicond., 35, 084006 (2014)
- M.J. Park, C.U. Kim, S.B. Kang, S.H. Won, J.S. Kwak, C.-M. Kim, K.J. Choi. Adv. Opt. Mater., 5, 1600684 (2017)
- Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова. ФТП, 53, 181 (2019)
- Y.J. Lee, J.M. Hwang, T.C. Hsu, M.H. Hsieh, M.J. Jou, B.J. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, S.C. Wang. IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 1152 (2006)
- S.-M. Jeong, S. Kissinger, D.-W. Kim, S. Jae Lee, J.-S. Kim, H.-K. Ahn, C.-R. Lee. J. Cryst. Growth, 312, 258 (2010)
- Y.J. Sung, M.-S. Kim, H. Kim, S. Choi, Y.H. Kim, M.-H. Jung, R.-J. Choi, Y.-T. Moon, J.-T. Oh, H.-H. Jeong, G.Y. Yeom, H.-H. Jeong, G.Y. Yeom, G.Y. Yeom, G.Y. Yeom. Opt. Express, 27, 29930 (2019)
- T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
- D.W. Kim, H.Y. Lee, M.C. Yoo, G.Y. Yeom. Appl. Phys. Lett., 86, 052108 (2005)
- J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
- S. Zhou, X. Liu, H. Yan, Z. Chen, Y. Liu, S. Liu. Opt. Express, 27, A669 (2019)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Е.Д. Васильева, А.Е. Черняков, А.С. Усиков. ФТП, 47, 386 (2013)
- X. Liu, Y. Mou, H. Wang, R. Liang, X. Wang, Y. Peng, M. Chen. Appl. Optics, 57, (2018)
- Q. Chen, H. Zhang, J. Dai, S. Zhang, S. Wang, J. He, R. Liang, Z.H. Zhang, C. Chen. IEEE Photon. J., 10, (2018)
- Y. Muramoto, M. Kimura, S. Nouda. Semicond. Sci. Technol., 29, 084004 (2014)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, М.В. Кукушкин, А.С. Павлюченко. ФТП, 6, 564 (2020)
- Y.Y. Lai, S.C. Hsu, H.S. Chang, Y.C.S. Wu, C.H. Chen, L.Y. Chen, Y.J. Cheng. Res. Chem. Intermed., 43, 3563 (2017)
- M. Itoh, T. Kinoshita, C. Koike, M. Takeuchi, K. Kawasaki, Y. Aoyagi. Jpn. J. Appl. Phys., 45, 3988 (2006)
- H. Wan, B. Tang, N. Li, S. Zhou, C. Gui, S. Liu. Nanomaterials, 9, 365 (2019)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, М.В. Кукушкин, А.С. Павлюченко. ФТП, 6, 564 (2020).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.