Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физико-химические взаимодействия в системе GeSb₂Te₄-PbSb₂Te₄

DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49951.9442

Переводная версия: 10.1134/S1063782620100139

Гурбанов Г.Р.¹, Адыгезалова М.Б.¹

¹Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan

Email: ebikib@mail.ru, mehpareadigozelova@yahoo.com

Поступила в редакцию: 19 мая 2020 г.

В окончательной редакции: 27 мая 2020 г.

Принята к печати: 2 июня 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

PDF версия

Впервые комплексными методами (дифференциально-термический, микроструктурный, рентгенофазовый анализы измерением микротвердости и определением плотности) физико-химического анализа исследован разрез GeSb₂Te₄-PbSb₂Te₄ квазитройной системы GeTe-Sb₂Te₃-PbTe и построена диаграмма состояния. Установлено, что разрез является частично квазибинарным сечением квазитройной системы GeTe-Sb₂Te₃-PbTe. Выявлена область твердых растворов на основе GeSb₂Te₄ (15 мол%, PbSb₂Te₄). При соотношении исходных компонентов 1:1 образуется конгруэнтно-плавящееся соединение GePbSb₄Te₈. Методом химических транспортных реакций получены монокристаллы четверного соединения GePbSb₄Te₈. Определены параметры элементарной ячейки GePbSb₄Te₈, кристаллизующейся в ромбической сингонии: a=5.06 Angstrem, b=9.94 Angstrem, c=11.62 Angstrem. Исследованием температурных зависимостей некоторых электрофизических параметров соединения GePbSb₄Te₈ и твердого раствора (GeSb₂Te₄)_x (PbSb₂Te₄)_1-x установлено, что сплавы имеют p-тип проводимости. Ключевые слова: квазитройные системы, монокристаллы, физико-химический анализ, твердые растворы, химические транспортные реакции.

A.A. Волыхов, Л.В. Яшина, В.И. Штанов. Неорг. матер., 72 (6), 662 (2006)
Г.Р. Гурбанoв, Ш.Г. Мамедов, М.Б. Адыгезалова. ЖНХ, 62 (11), 1530 (2017). DOI: https://doi.org/10.7868/S0044457X17110174
T.E. Свечникова, И.Ю. Нихезина, H.B. Поликарпова. Неорг. матер., 36 (8), 924 (2000)
Г.Р. Гурбанов. Журн. неорган. матер., 53 (7), 691 (2017). https://doi.org/10.7868/S0002337X1707003X
М.Г.Мильвидский, В.Б. Уфимцев. Неорг. матер., 36 (3), 360 (2000)
Г.Р. Гурбанов, Ш.Г. Мамедов, И.Б. Бахтийарлы. ЖНХ, 61 (9), 1240 (2016). https://doi.org/10.7868/S0044457X16090142
Т.П. Сушкова, Г.В. Семенова, E.B. Стрычина. Вестн. ВГУ, 1, 94 (2004)
P.Г. Гурбанов, М.Б.Адыгезалова, A.H. Мамедов, C.A. Гулиева. Moscow University Chemistry Bulletin, 74 (3), 134 (2019). DOI: 10.3103/S0027131419030064
A.R. West. Solid State Chemistry and its Applications, 2nd еdn (Wiley, Chichester, West Sussex, UK, 2014)
A. Charoenphakdee, K. Kurosaki, H. Muta, M. Uni, S. Yamanaka. Phys. Status Solidi (RPL), 2, 65 (2008)
L.D. Ivanova, L.I. Petrova, Yu.V. Granatkina, D.S. Nikulin, O.A. Raikina. Inorg. Mater., 52, (3), 248 (2016). DOI: 10.7868/S0002337X16030040
Л.И. Анатычук. Физика термоэлектричества (Киев, ИТЭ, 2000) т. 1
A.A. Волыхов, Л.В. Яшина, В.И. Штанов. Неорг. матер., 42 (6), 662 (2006). DOI: 10.1134/S0020168506060045
Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, B.C. Земсков, П.П. Константинов, Е.С. Авилов, М.А. Кретова. Перспективные матер., N 5, 23 (2000)
М.G. Kanatzidis. In: Semiconductors and Semimetals, (ed.) Terry M. Tritt.(San Diego, San Francisco, N.Y., Boston, London, Sydney, Tokyo: Academ. Press, 2001) v. 69, p. 51
Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
Л.Д. Иванова, M.A. Коржуев, Л.И. Петрова. и др. Сб. докл. Межгос. семинара (Санкт-Петербург, 2004) c. 422
T.V. Menshchikova, S.V. Eremeeva, E.V. Chulkov. Appl. Surf. Sci., 267, 1, (2013). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.04.048
Marco Caputo, Mirko Panighel, Simone Lisi, Lama Khalil et al. Nano Lett., 16, 3409 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02635
Marco Papagno, S.V. Eremeev, Jun Fujii, Ziya S. Aliev. ACS Nano, 10, 3518 (2016). https://doi.org/10.1021/acsnano.5b07750
L.E. Shelimova, P.P. Konstantinov, O.G. Karpinsky, E.S. Avilova, M.A. Kretova, V.S. Zemskov. J. Alloys Compd., 329 (1-2), 50 (2001)
Г.Р. Гурбанов, Ш.Г. Мамедов. ЖНХ, T. 64 (3), 308 (2019). DOI: 10.1134/S0044457X19030103
Г.Р. Гурбанов. ЖНХ, 55 (3), 495 (2010). DOI: 10.1134/S0036023610030265
Г.Р. Гурбанов, М.Б. Адыгезалова. ЖНХ, 63 (1), 106 (2018). DOI: https://doi.org/10.7868/S0044457X18010154

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель