Представлены результаты исследования спектров излучения тонких нанокристаллических пленок прямозонных твердых растворов Cu(In_1-xGa_x)(S_ySe_1-y)₂ (CIGSSe) в структуре солнечных элементов при непрерывном ~0.5 Вт/см² и наносекундном импульсном лазерном возбуждении в диапазоне плотности мощности возбуждения 0.1-53 кВт/см² и температурах 10-300 K. Обнаружено, что в тонких пленках CIGSSe возникает стимулированное излучение  в интервале температур от 10 до 90 K в спектральной области hν=1.062-1.081 эВ с минимальным уровнем пороговой накачки ~1 кВт/см². Показано, что с ростом интенсивности возбуждающего излучения полосы спонтанного излучения смещаются в сторону больших энергий. Установлено, что полосы фотолюминесценции при низких уровнях возбуждения и полосы cтимулированного  излучения  смещаются с ростом температуры в сторону высоких энергий, а полосы ФЛ при высоких уровнях возбуждения смещаются при этом в сторону низких энергий. Обсуждаются возможные причины и механизмы влияния температуры и интенсивности возбуждения на спектральные положения полос спонтанного и стимулированного излучения  пленок твердых растворов. Ключевые слова: Cu(In_1-xGa_x)(S_ySe_1-y)₂, CIGSSe, тонкие пленки, фотолюминесценция, стимулированное излучение, температурная зависимость, солнечный элемент.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.