Вышедшие номера
Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As-Ge-Te
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100140
Исаев А.И.1, Мамедова Х.И.1, Мехтиева С.И.1, Алекберов Р.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: physics.humay@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2020 г.
Принята к печати: 8 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

Методами рентгеноструктурного анализа, рамановской спектроскопии, измерением оптического пропускания и плотности исследованы структура и оптические свойства пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника As-Ge-Te. Определены основные структурные элементы и химические связи, образующие аморфную матрицу, а также оптическая ширина запрещенной зоны. Полученные результаты объяснены с учетом основных принципов химического упорядочения и параметров ближнего порядка в расположении атомов. Ключевые слова: координационные числа, когезионная энергия, плотности упаковки, компактности.
  1. A. Zakery, S. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 330 (1-3), 1 (2003)
  2. J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256-257, 6 (1999)
  3. B.J. Eggleton, B. Luther-Davies, K. Richardson. Nature Photonics, 5, 141 (2011)
  4. B. Bureau. Solid State Sci., 10, 427 (2008)
  5. Z.Y. Yang, P. Lucas. J. Am. Ceram. Soc., 92, 2920 (2009)
  6. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Х.И. Мамедова, Р.И. Алекберов. ФТП, 11, 1532 (2019)
  7. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Х.И. Мамедова1, Р.И. Алекберов. Физика и химия стекла, 46 (1), 64 (2020)
  8. P. Hawlova, F. Verger, V. Nazabal, R. Boidin, P. Nv emec. Scientific Rep. (Nature Publishing Group), 5, 9310 ( 2015)
  9. K. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G. Voyiatzis. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 965(2006)
  10. S. Sen, E.L. Gjersing, B.G. Aitken. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2083 (2010)
  11. A.S. Pine, G. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 4, 356 (1971)
  12. H. Krebs, P. Fischer. Discussions of the Faraday Society, 50, 35 (1970)
  13. M.H. Brodsky, J.E. Smith, Y.Yacoby, R.J. Gambino. Physica Status Solidi B, 52, 609 (1972)
  14. I. Voleska, J. Akola, P. Jovari, J. Gutwirth, T. Wagner, T. Vasileiadis, S.N. Yannopoulos, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 86, 094108 (2012)
  15. R.T. Ananth Kumar, Hussein A. Mousa, P. Chithra Lekha, Saleh T. Mahmoud, N. Qamhieh. J. Physics: Conf. Ser., 869 , 012018 (2017)
  16. С. Zha, R.P. Wang, A. Smith, A. Prasad, R.A. Jarvis, B. Lutter-Davies. J. Mater Sci.: Mater. Electron., 18, S389 (2007)
  17. A.S. Hassanien, A.A. Akl. J. Non-Cryst. Sol., 428, 112 9 (2015)
  18. L. Tichy, H. Ticha. Mater. Lett., 21, 313 (1994)
  19. K. Shimakawa. J. Non-Cryst. Sol., 43, 229 (1981)
  20. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  21. L. Tichy, H. Ticha. J. Non-Cryst. Sol., 189, 141 (1995)
  22. V. Pamukchieva, A. Szekeres, K. Todorova, M. Fabian, E. Svab, Zs. Revay, L. Szentmiklosi. J. Non-Cryst. Sol., 325, 2485 (2009)
  23. L. Pauling. The Nature of the Chemical Bond (Cornell University Press, Ithaca, N. Y., 1960)
  24. M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28, 355 (1972)
  25. J.P. Deneufville, H. Rockstad. In: J. Stuke, W. Brenig (еds). Amorphous and Liquid Semiconductors (Taylor and Francis, London, 1974) p. 419
  26. P.S. Giridhar, L. Narasimham, S. Mahadevan. J. Non-Cryst. Sol., 43, 29 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.