Исследование вольт-амперных характеристик наноструктурированных пленок Pd на Si-подложке после вакуумного отжига
Томилин С.В.1, Яновский А.С.1, Томилина О.А.1, Микаелян Г.Р.1
1Запорожский национальный университет (кафедра физики полупроводников), Запорожье, Украина
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.
Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик наноструктурированных пленок Pd на Si-подложке. Формирование наноструктур (наноостровки) производилось методом вакуумного отжига сплошных сверхтонких пленок Pd напыленных на подложку. Показано, что форма вольт-амперных характеристик исследуемой системы "Si-подложка-Pd-пленка" существенно зависит от степени наноструктурированности пленки. Исследование поверхностной морфологии пленок производилось с использованием растровой электронной микроскопии.
- K.T. Ho, C.-D. Lien, M.-A. Nicolet. J. Appl. Phys. 57 (2), 232 (1985)
- Risa Suryana, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima. Jpn J. Appl. Phys., 50, 05EA09-1 (2011)
- Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, 4, 55 (2005)
- S.V. Tomilin, A.S. Yanovsky. J. Nano- and Electronic Phys., 4 (1), 01 013 (2012)
- В.Б. Лобода, С.Н. Хурсенко. ЖЭТФ, 5 (11), 911 (2006)
- Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987) 1.5, с. 32
- Л. Майссел, Р. Глэнг. Технология тонких пленок (справочник) (М., Сов. радио, 1977) т. 1, с. 664
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976) гл. 10, с. 276
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук