Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава

Пашаев И.Г.¹

¹Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 2 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены и исследованы диоды Шоттки Au_xTi_100-x/n-Si, а также изучены электрофизические свойства диодов, содержащих металлические пленки различного состава (x=0,14,30,38,60,80,100). Рентгенофазовым анализом установлено, что пленка сплава Au₃₈Ti₆₂ имеет аморфную структуру, а остальные пленки Au_xTi_100-x - поликристаллическую. Определены основные параметры диодов Шоттки в зависимости от состава и структуры пленок металла. В результате выявлено, что электрофизические свойства диодов Шоттки Au_xTi_100-x/n-Si связаны с изменением состава и структуры пленок металла.

D.K. Wickenden, M.J. Sisson et al. Solid-State Electron., 27, 515 (1984)
Sh.G. Askerov, I.G. Pashayev. Proc. Secong Int. Conf. on Technical and Physical Problems in Power Engineering (Tabriz, 2004) p. 367
Ш.Г. Аскеров. Автореф. докт. дис. (Баку, 1992)
K.T.-Y. Kung, I. Suni, M.-A. Nikolet. Appl. Phys. Lett., 55, 3882 (1984)
Ш.Г. Аскеров, И.Г. Пашаев. Тез. докл. Междунар. конф. Fizika-2005" (Азербайджан, 2005) с. 193
И.В. Золотихин, Ю.И. Соколов. ЭТ. Сер. 3. Микроэлектроника, вып. 1 (130), 23 (1989)
Ю.А. Осипьян. Наука и жизнь (1988)
W. Wiley, I.H. Pereperko, I.E. Nordman. IEEE Trans. Industrial Elecrton., 29, 154 (1982)
А. Гипье. Рентгенография кристаллов (М., 1961)
К. Судзуки, Х. Фудзимори, К. Хасимото. Аморфные металлы (М., Металлургия. 1987)
А.И. Иващенко, Б.Е. Саморуков, А. Соломанов. ФТП 4, 770 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель