Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние имплантации ионов Al+ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080072 
Донаев С.Б.
1, Умирзаков Б.Е.
1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан 
Email: sardor.donaev@gmail.com, be.umirzakov@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 31 марта 2020 г.
Принята к печати: 31 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
Методом имплантации ионов Al+ c E0= кэВ разными дозами на поверхности монокристалла GaP(111) получены нанокристаллические фазы и пленки GaAlP, изучены их электронная и кристаллическая структура. Показано, что тип и параметры решетки трехкомпонентной наноструктуры хорошо совпадают с таковыми для подложки. Изучена взаимосвязь между шириной запрещенной зоны Eg и размерами нанокристаллических фаз. Установлено, что в случае поверхностных размеров фаз d меньше чем 35-40 нм (толщина 3.5-4 нм), в нанокристаллических фазах Ga0.6Al0.4P проявляются квантово-размерные эффекты. Ключевые слова: поверхность, монокристалл, ионная имплантация, нанокристаллическая фаза, ширина запрещенной зоны, квантово-размерный эффект.
- Т.Н. Заварицкая, А.В. Квит, Н.Н. Мельник, В.А. Караванский. ФТП, 32 (2), 235 (1998)
- В.Ф. Агекян, В.И. Иванов-Омский, В.Н. Князевский, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32 (10), 1203 (1998)
- П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, T. Prutskij. ФТП, 47 (1), 3 (2013)
- Su-Huai Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 49, 14337 (1994)
- О.И. Румянцев, П.Н. Брунков, Е.В. Пирогов, А.Ю. Егоров. ФТП, 44 (7), 923 (2010)
- P.R.C. Kent, A. Zunger. Phys. Rev. B, 64, 115208 (2001)
- М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, А.В. Васев, А.Ф. Скочков, Г.И. Юрко, И.И. Нестеренко. ЖТФ, 89 (7), 1071 (2019)
- M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop, D.H. Levi, A.W.Y. Ho-Baillie. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 25 (1), 3 (2016)
- А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов. Журнал нано- и электронной физики, 7 (1), 01021(4сс) (2015)
- B.E. Umirzakov, T.S. Pugacheva, A.T. Tashatov, D.A. Tashmukhamedova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms, 166- 167, 572 (2000). https://doi.org/10.1016/S0168-583X(99)01151-9
- З.А. Исаханов, З.Э. Мухтаров, Б.Е. Умирзаков, М.К. Рузибаева. ЖТФ, 81 (4), 117 (2011)
- S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov. Phys. Status Solidi С, 12 (1-2), 89 (2015)
- Б.Е. Умирзаков, М.Т. Нормурадов, Д.А. Ташмухамедова, А.К. Ташатов. Наноматериалы и перспективы их применения (Ташкент, MERIYUS, 2008). 256 с
- Х.Х. Болтаев, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 4, 24 (2014)
- С.Б. Донаев, Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова. ЖТФ, 85 (10), 148 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
