Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения

Бердников А.Е.¹, Гусев В.Н.¹, Мироненко А.А.¹, Попов А.А.¹, Перминов А.В.¹, Рудый А.С.¹, Черномордик В.Д.¹

¹Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Поступила в редакцию: 25 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

PDF версия

Исследованы вольт-амперные характеристики МДП структур с диэлектриками на базе оксида кремния, полученных низкочастотным (55 кГц) плазмохимическим осаждением. Особенностью используемых диэлектриков были включения частиц других материалов с меньшей шириной запрещенной зоны. Установлено, что такие структуры обладают свойством биполярного переключения проводимости. Наилучшими характеристиками эффекта переключения проводимости обладали МДП структуры с многослойным диэлектриком, содержащим дополнительные слои нитрида кремния нанометровой толщины.

Б.Т. Коломиец, Г.А. Андреева, Н.П. Калмыкова, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами, В.Х. Шпунт. Приборы и системы управления, 4, 27 (1980)
В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 27 (03), 438 (1993)
В.Б. Байбурин, Ю.П. Волков, В.А. Рожков. Письма ПЖТФ, 24 (12), 21 (1998)
D.S. Jeong, H. Schroeder, R. Waser. ESL, 10, 51 (2007)
K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aono. Nature, 433, 47 (2005)
W. Wu, G.-Y. Jung, D.L. Olynick, J. Straznicky, Z. Li, X. Li, D.A.A. Ohlberg, Y. Chen, S.-Y. Wang, J.A. Liddle, W.M. Tong, R. Stanley Williams. Appl. Phys., A 80, 1173 (2005)
J. Campbell Scott, Luisa D. Bozano. Adv. Mater., 19, 1452 (2007)
M-J. Lee, Ch.B. Lee, D. Lee et al. Nature Mater., 10, 625 (2011)
А.А. Орликовский, А.Е. Бердников, А.А. Мироненко, А.А. Попов, В.Д. Черномордик, А.В. Перминов. Патент РФ на изобретение N 2449416 от 27 апреля 2012 г
М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов. ФТП, 42 (2), 202 (2008)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
А.Н. Разжувалов, С.Н. Гриняев. ФТП, 42 (5), 595 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель