"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения
Бердников А.Е.1, Гусев В.Н.1, Мироненко А.А.1, Попов А.А.1, Перминов А.В.1, Рудый А.С.1, Черномордик В.Д.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 апреля 2013 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики МДП структур с диэлектриками на базе оксида кремния, полученных низкочастотным (55 кГц) плазмохимическим осаждением. Особенностью используемых диэлектриков были включения частиц других материалов с меньшей шириной запрещенной зоны. Установлено, что такие структуры обладают свойством биполярного переключения проводимости. Наилучшими характеристиками эффекта переключения проводимости обладали МДП структуры с многослойным диэлектриком, содержащим дополнительные слои нитрида кремния нанометровой толщины.
  • Б.Т. Коломиец, Г.А. Андреева, Н.П. Калмыкова, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами, В.Х. Шпунт. Приборы и системы управления, 4, 27 (1980)
  • В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 27 (03), 438 (1993)
  • В.Б. Байбурин, Ю.П. Волков, В.А. Рожков. Письма ПЖТФ, 24 (12), 21 (1998)
  • D.S. Jeong, H. Schroeder, R. Waser. ESL, 10, 51 (2007)
  • K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aono. Nature, 433, 47 (2005)
  • W. Wu, G.-Y. Jung, D.L. Olynick, J. Straznicky, Z. Li, X. Li, D.A.A. Ohlberg, Y. Chen, S.-Y. Wang, J.A. Liddle, W.M. Tong, R. Stanley Williams. Appl. Phys., A 80, 1173 (2005)
  • J. Campbell Scott, Luisa D. Bozano. Adv. Mater., 19, 1452 (2007)
  • M-J. Lee, Ch.B. Lee, D. Lee et al. Nature Mater., 10, 625 (2011)
  • А.А. Орликовский, А.Е. Бердников, А.А. Мироненко, А.А. Попов, В.Д. Черномордик, А.В. Перминов. Патент РФ на изобретение N 2449416 от 27 апреля 2012 г
  • М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, А.А. Попов. ФТП, 42 (2), 202 (2008)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • А.Н. Разжувалов, С.Н. Гриняев. ФТП, 42 (5), 595 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.