Вышедшие номера
Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs
Алешкин В.Я.1, Дубинов А.А.1, Дроздов М.Н.1, Звонков Б.Н.2, Кудрявцев К.Е.1, Тонких А.А.1,3, Яблонский А.Н.1, Werner P.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
Поступила в редакцию: 9 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

С использованием метода лазерного распыления были выращены гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. Проведены структурные и оптические исследования полученных гетероструктур. Обнаружена широкая линия фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1300-1650 нм, соответствующая непрямым переходам в импульсном пространстве Ge квантовой ямы и непрямым в координатном, но прямым в импульсном пространстве переходам между слоями In0.28Ga0.72As и Ge.