Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs

Алешкин В.Я.¹, Дубинов А.А.¹, Дроздов М.Н.¹, Звонков Б.Н.², Кудрявцев К.Е.¹, Тонких А.А.^1,3, Яблонский А.Н.¹, Werner P.³

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

³Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany

Поступила в редакцию: 9 июля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С использованием метода лазерного распыления были выращены гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. Проведены структурные и оптические исследования полученных гетероструктур. Обнаружена широкая линия фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1300-1650 нм, соответствующая непрямым переходам в импульсном пространстве Ge квантовой ямы и непрямым в координатном, но прямым в импульсном пространстве переходам между слоями In_0.28Ga_0.72As и Ge.

S.J. Caracci, M.R. Krames, N. Holonyak, M.J. Ludowise, A. Fischer-Colbrie. J. Appl. Phys., 75, 2706 (1994)
М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семёнова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 763 (2004)
H. Kroemer. Rev. Mod. Phys., 73, 783 (2001)
R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessete, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Exp., 20, 11316 (2012)
V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov. J. Appl. Phys., 109, 123 107 (2011)
S.K. Agarwal, R. Tyagi, M. Singh, R.K. Jain. Sol. Energy Mater. Solsar Cells, 59, 19 (1999)
C.K. Chia, G.K. Dalapati, Y. Chai, S.L. Lu, W. He, J.R. Dong, D.H.L. Seng, H.K. Hui, A.S.W. Wong, A.J.Y. Lau, Y.B. Cheng, D.Z. Chi, Z. Zhu, Y.C. Yeo, Z. Xu, S.F. Yoon. J. Appl. Phys., 109, 066 106 (2011)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Оптич. журн., 75, 56 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель