Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Переводная версия: 10.1134/S1063782620070088 
Российский научный фонд, 19-79-10024
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-08-00108
Лунин Л.С.
1, Лунина М.Л.
1, Алфимова Д.Л.
1, Пащенко А.С.
1, Пащенко О.С.
1, Богатов Н.М.
2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
2Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 10 марта 2020 г.
Принята к печати: 10 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
Обсуждается выращивание твердых растворов AlGaInSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. Проведен расчет параметров и исследованы люминесцентные свойства и спектральные характеристики твердых растворов AlGaInSbAs, изопериодных подложкам InAs. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Al-Ga-In-Sb-As. Выявлены области термодинамической устойчивости к спинодальному распаду твердых растворов AlGaInSbAs и интервалы изопериодичности к подложке InAs. Ключевые слова: твердые растворы AlGaInSbAs, термодинамические и кристаллохимические параметры, фазовые равновесия, ширина запрещенной зоны, спектральная характеристика, спектр фотолюминесценции.
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
- H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett., 12 (1), 128 (2017)
- S.E. Gulebaglan, E.K. Dogan, M. Aycibin, M.N. Secuk, B. Erdinc, H. Akkus. Cent. Eur. J. Phys., 11, 1680 (2013)
- A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.S. Kurochkin, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 50, 1186 (2016)
- D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Inorg. Mater., 50, 113 (2014)
- V.V. Kuznetsov, E.A. Kognovitskaya, M.L. Lunina, E.R. Rubtsov. Russ. J. Phys. Chem. A, 85, 2062 (2011)
- D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.E. Kazakova, A.S. Pаshchenko, S.N. Chebotarev. Inorg. Mater., 53, 1217 (2017)
- K. Shim. Phil. Mag., 94, 3088--3097 (2014)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1987)
- В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений AIIIBV (СКНЦВШ Ростов н/Д., 2003)
- С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, A. Williamson, Л.С. Лунин, В.А. Ирха, В.А. Гамидов. Письма ЖТФ, 41, 13 (2015)
- М.Л. Лунина, Л.С. Лунин, В.В. Калинчук, А.Е. Казакова. ФТТ, 60, 888 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
