Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость дифференциальной емкости p+-n-перехода от напряжения
1Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, Харьков, Украина 
Поступила в редакцию: 10 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Получены зависимости дифференциальной емкости и тока p+-n-перехода с однородным легированием n-области от напряжения на области перехода. Емкость p+-n-перехода определяет изменение заряда в области перехода с учетом изменения электрического поля квазинейтральной n-области и изменения биполярной дрейфовой подвижности в ней при увеличении концентрации неравновесных носителей заряда. Показано, что изменение знака емкости p+-n-перехода с ростом уровня инжекции вызвано уменьшением биполярной дрейфовой подвижности при увеличении концентрации пар электрон-дырка в n-области. Показано, что с ростом обратного напряжения емкость p+-n-перехода уменьшается и стремится к постоянному положительному значению.
- G. Kohn, W. Nannenmacher. Arch. Electr. Ubertrag., 8 (12), 561 (1954)
- W. Guggenbuhl. Arch. Electr. Ubertrag., 10 (11), 483 (1956)
- С.П. Синица. РЭ, 7 (8), 1427 (1962)
- З.А. Искандер-заде, Э.А. Джафарова. Физика p-n-переходов (Рига, Зинатне, 1966) с. 103
- А.М. Агаев, Г.В. Захваткин, М.И. Иглицын, А.Я. Первова, Ф.И. Фистуль. Физика p-n-переходов (Рига, Зинатне, 1966) с. 7
- Н.А. Шеховцов. Функцион. материалы, 4 (2), 194 (1997)
- Н.А. Шеховцов. Радиофизика и электроника (Сб. тр. ИРЭ НАНУ, Харьков), 5 (1), 142 (2000)
- W. Shockley. Bell. Syst. Techn. J., 28 (3), 435 (1949)
- Лю Цзиньчжи, Ф.А. Линдолм. ТИИЭР, 76 (11), 6 (1988)
- С.Т. Са. ТИРИ, 49 (3), 650 (1961)
- Н.А. Шеховцов. Вестн. Харьк. нац. ун-та им. В.Н. Каразина. Радиофизика и электроника (Харьков, 2008) N 806, с. 48
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Гос. изд-во, физ.-мат. лит. 1963)
- T. Misava. J. Phys. Soc. Jpn., 11 (7), 728 (1956)
- N.H. Flether. J. Electron., 2 (6), 609 (1957)
- K.M. Vliet. J. Sol. St. Electron., 9 (3), 185 (1966)
- J.R. Hayser. J. Sol. St. Electron., 14 (2), 133 (1971)
- M. Guckel, A. Demirkol, D.C. Thomas. J. Sol. St. Electron., 25 (2), 105 (1982)
- Н.М. Дударов. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, вып. 1, 24 (1971)
- Н.М. Дударов. В сб.: Вопросы электросвязи (Рига, Зинатне, 1972) вып. 6, с. 77
- И.Н. Горбатый. РЭ, 33 (10), 2147 (1988)
- Н.А. Шеховцов. ФТП, 46 (1), 60 (2012)
- В.А. Киреев. Краткий курс физической химии (М., Химия, 1969) с. 219.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
