Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 504
<<<
Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния
DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49269.9340
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050024
государственное задание Омского научного центра СО РАН, Программа ФНИ ГАН на 2013-2020 годы, номер госрегистрации проекта в системе ЕГИСУ НИОКТР АААА-А17-117041210227-8
Болотов В.В. 1, Ивлев К.Е. 1, Князев Е.В. 1, Пономарева И.В. 1, Росликов В.Е. 1
1Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Email: bolotov@obisp.oscsbras.ru, ivlev@obisp.oscsbras.ru, knyazev@obisp.oscsbras.ru, poni@obisp.oscsbras.ru, roslikov@obisp.oscsbras.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 28 декабря 2019 г.
Принята к печати: 30 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
PDF версия
Получены многослойные интегрированные пористые мембраны в монолитном обрамлении, содержащие пористый кремний двух типов: макропористый с диаметрами пор до 10 мкм, канальный с диаметрами каналов от 100 до 300 нм. Предложена лабораторная технология получения двухслойных структур макропористый/канальный кремний с использованием подложек высокоомного n-Si (1 Ом · см). Обсуждается механизм порообразования и его влияние на морфологию пористых слоев для электролитов с использованием муравьиной кислоты и гидроксида аммония. Ключевые слова: пористый кремний, электрохимическое травление, электронная микроскопия, многослойные структуры, мембраны.
  1. C. Cozzi, G. Polito, K.W. Kolasinski, G. Barillaro. Adv. Funct. Mater., 27, 1604310 (2017)
  2. T. Pichonat, B. Gauthier-Manuel. J. Membrane Sci., 280, 494 (2006).
  3. R.W. Tjerkstra, J.G.E. Gardeniers, J.J. Kelly, A. van den Berg. J. Microelectromechanical Systems, 9 (4), 495 (2000)
  4. M.J. Sailor. Porous Silicon in Practice: Preparation, Characterization and Applications (Weinheim, Wiley-VCH, 2012)
  5. R. Angelucci, A. Poggi, L. Dori, G.C. Cardinali, A. Parisini, A. Tagliani, M. Mariasaldi, F. Cavani. Sensors Actuators, 74, 95 (1999)
  6. L. Velleman, C.J. Shearer, A.V. Ellis, D. Losic, N.H. Voelcker, J.G. Shapter. Nanoscale, 2, 1756 (2010)
  7. A. Kovacs, A. Kovacs, M. Pogany, U. Mescheder. Sensors Actuators B, 127, 120 (2007)
  8. A. Kovacs, U. Mescheder. Sensors Actuators B, 175, 179 (2012)
  9. D.H. Ge, J.W. Jiao, S. Zhang, Y.L. Wang. Electrochem. Commun., 12, 603 (2010)
  10. D.H. Ge, M.C. Wang, W.J. Liu, S. Qin, P.L. Yan, J.W. Jiao. Electrochim. Acta, 88, 141 (2013)
  11. M. Christophersen, J. Carstensen, H. Foll. Phys. Status Solidi A, 182, 45 (2000)
  12. Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов, А.Г. Забродский. Альтернативная энергетика и экология: междунар. науч. журн., 2 (46), 60 (2007)
  13. В.А. Юзова, Ф.Ф. Меркушев, О.В. Семенова. Письма ЖТФ, 43 (16),79 (2017)
  14. R. Angelucci, A. Poggi, L. Dori, G.C. Cardinali, A. Parisini, G. Pizzochero, F. Trifiro, F. Cavani, C. Critelli, L. Boarino. Thin Sol. Films, 297, 43 (1997)
  15. T.V.K. Karthik, L. Martinez, V. Agarwal. J. Alloys Compd., 731, 853 (2018)
  16. W. Laminack, N. Pouse, J.L. Gole. ECS J. Solid State Sci. Technol., 1 (2), Q25 (2012)
  17. C. Baker, W. Laminack, J.L. Gole. J. Appl. Phys., 119, 124506 (2016)
  18. В.В. Болотов, В.Е. Росликов, Е.А. Росликова, К.Е. Ивлев, Е.В. Князев, Н.А. Давлеткильдеев. ФТП, 48 (3), 412 (2014)
  19. С.П. Зимин, М.Н. Преображенский, Д.С. Зимин. Письма ЖТФ, 26 (1), 24 (2000)
  20. В.В. Болотов, К.Е. Ивлев, Е.В. Князев, И.В. Пономарева, В.Е. Росликов. Патент РФ N 2690534 C1 (2019)
  21. E. Galun, C. Reuben, S. Matlis, R. Tenne, C. Levy-Clement. J. Phys. Chem., 99, 4132 (1995)
  22. Г.В. Ли, Е.В. Астрова, А.И. Лихачев. ФТП, 52 (13), 1614 (2018)
  23. J. Carstensen, M. Christophersen, H. Foll. Mater. Sci. Engin. B, 69-70, 23 (2000)
  24. X.Q. Bao, J.W. Jiao, Y.L. Wang, K.W. Na, H. Choi. J. Electrochem. Soc., 154 (3), D175 (2007)
  25. M. Christophersen, J. Carstensen, S. Ronnebeck, C. Jager, W. Jager, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 148 (6), E267 (2001)
  26. V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137 (2), 653 (1990)
  27. H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Haase. Mater. Sci. Engin. R, 39, 93 (2002)
  28. Е.В. Астрова, Н.Е. Преображенский, Г.В. Ли, С.И. Павлов. ФТП, 52 (3), 414 (2018)
  29. V.V. Bolotov, P.M. Korusenko, S.N. Nesov, S.N. Povoroznyuk, V.E. Roslikov, E.A. Kurdyukova, Yu.A. Sten'kin, R.V. Shelyagin, E.V. Knyazev, V.E. Kan, I.V. Ponomareva. Mater. Sci. Engin. B, 177, 1 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme