Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr0.26Si0.74 от толщины
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040107 
Совет по грантам Президента Российской Федерации, Грант Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых - кандидатов наук, МК-1452.2019.2
Новиков С.В.
1, Кузнецова В.С.
1, Бурков А.Т.
1, Шуманн И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Лейбниц Институт физики твердого тела и материаловедения, Дрезден, Германия
2Лейбниц Институт физики твердого тела и материаловедения, Дрезден, Германия
Email: S.Novikov@mail.ioffe.ru, v.kuznetsova@mail.ioffe.ru, a.burkov@mail.ioffe.ru, J.Schumann@ifw-dresden.de
Поступила в редакцию: 18 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 25 декабря 2019 г.
Принята к печати: 25 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Исследуются термоэлектрические свойства и кинетика кристаллизации тонких пленок Cr0.26Si0.74 с толщинами 11, 14, 21, 31, 56, 74 и 115 мм. Пленки получены магнетронным распылением на холодную подложку и в исходном состоянии имеют аморфную структуру. В процессе термического отжига происходит преобразование аморфной смеси в двухфазный нанокристаллический композит, состоящий из дисилицида хрома и кремния. In situ измерения термоэлектрических свойств пленок в ходе отжига показали, что температура начала кристаллизации уменьшается, а скорость кристаллизации растет с уменьшением толщины пленок. Термоэдс нанокристаллических пленок уменьшается с ростом толщины пленок, а термоэлектрический фактор мощности достигает максимального значения в пленках толщиной 31 нм. Ключевые слова: термоэлектричество, силициды, нанокристаллизация, тонкие пленки, фактор мощности.
- А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М.; Л., Изд-во АН СССР, 1957)
- S.V. Novikov, A.T. Burkov, J. Schumann. J. Alloys Comp., 557, 239 (2013)
- A.T. Burkov, S.V. Novikov, V.V. Khovaylo, J. Schumann. J. Alloys Comp., 691, 89 (2017)
- A.T. Burkov, A. Heinrich, P.P. Konstantinov, T. Nakama, K. Yagasaki. Meas. Sci. Technol., 12, 264 (2001)
- S.V. Novikov, A.T. Burkov, J. Schumann. J. Electron. Mater., 43 (6), 2420 (2014)
- C. Gladun, A. Heinrich, J. Schumann, W. Pitschke, H. Vinzelberg. Int. J. Electron., 77, 301 (1994)
- A.T. Burkov, A. Heinrich, C. Gladun, W. Pitschke, J. Schumann. Phys. Rev. B, 58 (15), 9644 (1998)
- A.T. Burkov, H. Vinzelberg, J. Schumann, T. Nakama, K. Yagasaki. J. Appl. Phys., 95 (12), 7904 (2004)
- H. Nitsche, F. Sommer, E.J. Mittemeijer. Metallurgical and Materials Transactions A, 37 (3), 621 (2006)
- A.T. Burkov. Phys. Status Solidi A, 215, 1800105 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
