Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности самокомпенсации в твердых растворах Er_xSn_1-xSe

Гусейнов Д.И.¹, Мургузов М.И.¹, Исмаилов Ш.С.¹

¹Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 12 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние легирования и степени компенсации на энергию активации проводимости Delta E_i в Er_xSn_1-xSe. В области слабого легирования при малых и умеренных компенсациях концентрации носителей тока уменьшаются. Выявлено, что, начиная с x≥0.005 ат% Er, в исследуемых твердых растворах имеющая место смена знака носителей тока в зависимости от количества замещенного эрбия в образцах SnSe, находящихся в равновесии с фазой селена, может быть объяснена на основе представлений о самокомпенсации донорного действия в подрешетке олова.

Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов, под ред. В.П. Жузе (Л., Наука, 1973) с. 24
Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений A^IVB^VI (М., Наука, 1975) с. 21
S.N. Dutta, G.A. Jeffrey. Jnorgan. Chem., 4 (9), 1363 (1965)
H. Roue. J. Phys. Chem. Sol., 27 (4), 766 (1966)
Д.М. Френк, В.К. Бойчук, Л.И. Межилевская. Изв. РАН. Неорг. матер., 40 (10), 1171 (2004)
Д.И. Гусейнов, М.И. Мургузов, Ш.С. Исмаилов, Изв. РАН. Неорг. матер., 44 (5), 542 (2008)
Е.И. Ярембаш, А.Е. Елисеев. Методы синтеза и анализа халькогенидов РЗЭ (М., Наука, 1975) с. 156
Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, В.И. Макеенко, Р.Б. Мельник, С.А. Немов. ФТП, 18 (5), 489 (1984)
Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (Л., Наука, 1987) с. 135
Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1982) с. 98
Дж.И. Гусейнов, М.И. Мургузов, Р.Ф. Мамедова и др. Доклады междунар. конф. "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (ФХП-10) (Кемерово, 2007) Т. 1, с. 327
А.А. Радциг, Б.М. Смирнов. Параметры атомов и атомных ионов (М., Энергоатомиздат, 1986) с. 74
Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 14 (1), 74 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель