Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках
Редькин А.Н.1, Рыжова М.В.1, Якимов Е.Е.1, Грузинцев А.Н.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Обобщены результаты экспериментальных исследований по газофазному выращиванию из элементов упорядоченных массивов наностержней оксида цинка на кремниевых подложках. Представлена модель "самокаталитического" роста наностержней ZnO по механизму пар-жидкость-кристалл, в которой роль катализатора направленного роста выполняют капли жидкого цинка. Разработанный метод позволяет осаждать упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках различной ориентации без предварительного нанесения металла-катализатора или тонкого зародышевого слоя ZnO. Рассмотрено влияние различных факторов на скорость роста, размеры, форму и упорядоченное расположение наностержней ZnO. Полученные наностержни оксида цинка представляют собой высокочистые монокристаллы с малым содержанием точечных дефектов, пригодные для практического применения в оптоэлектронике, сенсорной и микросистемной технике.
- A.B. Djurisic, A.M.C. Ng, X.Y. Chen. Progr. Quant. Electron., 34, 191 (2010)
- O. Lupan, V.V. Ursaki, G. Chai, L. Chow, G.A. Emelchenko, I.M. Tiginyanu, A.N. Gruzintsev, A.N. Redkin. Sensors Actuators B: Chem., 144 (1), 56 (2010)
- L. Li, T. Zhai, Y. Bando, D. Golberg. Nano Energy, 1, 91 (2012)
- H. Ham, G. Shen, J.H. Cho, T.J. Lee, S.H. Seo, Ch.J. Lee. Chem. Phys. Lett., 404, 69 (2005)
- J.I. Sohn, S.S. Choi, S.M. Morris, J.S. Bendall, H.J. Coles, W.-K. Hong, G. Jo, T. Lee, M.E. Welland. Nano Lett., 10, 4316 (2010)
- G. Zhu, R. Yang, S. Wang, Z.L. Wang. Nano Lett., 10 (8), 3151 (2010)
- M. Sun, Q.-F. Zhang, H. Sun, J. Zhang, J.-L. Wu. J. Vac. Sci. Technol. B, 27 (2), 618 (2009)
- P.-C. Chang, Z. Fan, C.-J. Chien, D. Stichtenoth, C. Ronning, J.G. Lu. Appl. Phys. Lett., 89 (13), 133 113 (2006)
- R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
- P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, H.-J. Choi. Adv. Funct. Mater., 12 (5), 323 (2002)
- X.D. Wang, C.J. Summers, Z.L. Wang. Nano Lett., 4 (3), 423 (2004)
- L. Wang, X. Zhang, S. Zhao, G. Zhou, Y. Zhou, J. Qi. Appl. Phys. Lett., 86 (2), 024 108 (2005)
- B.H. Kong, H.K. Cho. Cryst. Growth, 289, 370 (2006)
- А.Н. Редькин, А.Н. Грузинцев, З.И. Маковей, С.В. Дубонос, Е.Е. Якимов. Неорг. матер., 43 (3), 301 (2007)
- А.Н. Редькин, З.И. Маковей, А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов, О.В. Кононенко, А.А. Фирсов. Неорг. матер., 45 (11), 1330 (2009)
- Q. Zhao, H.Z. Zhang, Y.W. Zhu, S.Q. Feng, X.C. Sun, J. Xu, D.P. Yu. Appl. Phys. Lett., 86, 203 115 (2005)
- M. Wei, D. Zhi, J.L. MacManus-Driscoll. Nanotechnology, 16, 1364 (2005)
- M. Zha, D. Calestani, A. Zappettini, R. Mosca, M. Mazzera, L. Lazzarini, L. Zanotti. Nanotechnology, 19, 325 603 (2008)
- G. Visimberga, E.E. Yakimov, A.N. Redkin, A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov, S. Romanov, G.A. Emelchenko. Phys. Status Solidi С, 7 (6), 1668 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
