"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Неодномерный эффект dU/dt в мощных тиристорах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620010273
Юрков С.Н.1, Мнацаканов Т.Т.1, Тандоев А.Г.1
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
Email: yurkov.sn@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Описана методика, позволяющая учесть влияние элементов конструкции мощного тиристора на его dU/dt-стойкость. Предложена простая модель, с помощью которой можно найти параметры вспомогательной тиристорной структуры регенеративного управляющего электрода, обеспечивающие заданную стойкость тиристора к эффекту dU/dt. Найдена минимально возможная величина отпирающего тока управления тиристора, ограниченная заданной величиной предельной скорости нарастания напряжения. Ключевые слова: мощный тиристор, элементы конструкции, эффект dU/dt, отпирающий ток управления.
  1. С.Н. Юрков, Т.Т. Мнацаканов, А.Г. Тандоев. ЖТФ, 88 (10), 1544 (2018)
  2. А.И. Уваров. В сб.: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов (Л., Наука, 1969) с. 194
  3. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Solid-State Electron., 30, 579 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.