Вышедшие номера
Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160115
Карлина Л.Б. 1, Власов А.С. 1, Шварц М.З.1, Сошников И.П.1,2, Смирнова И.П. 1, Комисаренко Ф.Э.3, Анкудинов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: karlin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Впервые рассмотрена возможность использования латеральных наноструктур Ga(In)AsP, выращенных каталитическим методом в квазизамкнутом объеме из паров фосфора и индия на поверхности GaAs (100) в качестве антиотражающего покрытия для фотоэлектрических приборов. Показано, что при фиксированной температуре роста возможно управление морфологией поверхности путем изменения времени роста. Морфологию поверхности исследовали методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии. Показана связь структуры поверхности с ее антиотражательными свойствами в диапазоне 400-800 нм. Использование данного покрытия в фотоэлементах на основе GaAs показало существенное увеличение внешнего квантового выхода фотопреобразователей. Ключевые слова: наноструктуры, каталитический рост, Ga(In)AsP, антиотражающее покрытие.
  1. Progress in Advanced Structural and Functional Materials Design, ed. by T. Kakeshita (Springer, 2013)
  2. A. Bahrami, S. Mohammadnejad, N.J. Abkenar, S. Soleimaninezhad. Int. J. Renew. Energy Res., 1, 79 (2013)
  3. M.K. Hedayati, M. Elbahri. Materials, 9, 497 (2016)
  4. Y-J. Lee, D.S. Ruby, D.W. Peters, B.B. McKenzie, W.P. Hsu. Nano Lett., 8 (5), 1501 (2008)
  5. S. Chattopadhyay, Y.F. Huang, Y.J. Jen, A. Ganguly, K.H. Chen, L.C. Chen. Mater. Sci. Engin. Rep., 69, 1 (2010)
  6. J.W. Leem, J.S. Yu, Y.M. Song, Y.T. Lee. Solar Energy Mater. Solar Cells, 95, 669 (2011)
  7. S.L. Diedenhofen, G. Vecchi, R.E. Algra, A. Hartsuiker, O.L. Muskens, G. Immink, E.P.A.M. Bakkers, W.L. Vos, J.G. Rivas. Adv. Mater., 21, 973 (2009)
  8. Л.Б. Карлина, А.С. Власов, И.П. Сошников, И.П. Смирнова, Б.Я. Бер, А.Б. Смирнов. ФТП, 52 (10), 1244 (2018)
  9. L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev. J. Cryst. Growth, 432, 1338 (2015)
  10. M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th EUPVSEC (Barcelona, 2005) p. 278

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.