Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 12 » Статья стр. 1708
<<<>>>
Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона (~600 нм)
DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48631.9217
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160218
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), НЦНИЛ_а, 17-52-16014
Надточий А.М. 1, Шерняков Ю.М.2, Кулагина М.М.2, Паюсов А.С.2, Гордеев Н.Ю. 2, Максимов М.В.1, Жуков А.Е.1, Denneulin T.3,4, Cherkashin N.4, Щукин В.А.5, Леденцов Н.Н.5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Peter Grunberg Institut (PGI-5), Julich, Germany
4CEMES--CNRS, Toulouse Cedex 4, France
5VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Email: nkt.grdv@gmail.com, al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
PDF версия
Продемонстрирована лазерная генерация в оранжевой области спектра (599-605 нм) в лазерных диодах (AlxGa1-x)0.5In0.5P-GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs (211)A и (322)A. Активная область представляла собой 4 слоя InxGa1-xP вертикально-связанных квантовых точек. Для подавления утечки неравновесных электронов из активной области использовались барьерные вставки, состоящие из четырех квантово-размерных слоев твердого раствора InGaAlP с высоким содержанием Ga. Максимальная выходная оптическая мощность в импульсном режиме составила 800 мВт и была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал. Лазеры, изготовленные из структур, выращенных на подложках (322)А, демонстрируют меньшую пороговую плотность тока, большую дифференциальную квантовую эффективность и меньшие внутренние потери по сравнению с лазерами, изготовленными из структур, выращенных на подложках (211)А, что объясняется более высоким барьером для неравновесных электронов в первом случае. Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, квантовые точки, оранжевое излучение.
  1. K.V. Chellappan, E. Erden, H. Urey. Appl. Optics, 49 (25), F79 (2010)
  2. N. Ledentsov, V. Shchukin. US Patent Application Publication US20170332071A1 (2017)
  3. H. Jorke, M. Fritz. Proc. SPIE-IS \& T Electronic Imaging, SPIE, 6055, 60550G (2006)
  4. D. Bohn. "Intel made smart glasses that look normal". The Verge 2, Feb. 5 (2018). https://www.theverge.com/2018/2/5/ 16966530/intel-vaunt-smart-glasses-announced-ar-video
  5. P. Avci, A. Gupta, M. Sadasivam, D. Vecchio, Z. Pam, N. Pam, M.R. Hamblin. Semin. Cutan. Med. Surg., 32 (1), 41 (2013)
  6. W.G. Telford. Methods Cell. Biol., 102, 375 (2011)
  7. S. Choudhary, K. Nouri, L. Elsaie. Lasers Med. Sci., 24, 971 (2009)
  8. M. Mueller. SPIE Proc., TT69 (2006)
  9. M. Dallesasse, D.W. Nam, D.G. Deppe, N. Holonyak, R.M. Fletcher, C.P. Kuo, T.D. Osentowski, M.G. Craford. Appl. Phys. Lett., 53 (19), 1826 (1988)
  10. R.V. Chelakara, M.R. Islam, J.G. Nedd, K.G. Fertitta, A.L. Holmes, F.J. Ciuba, R.D. Dupuis. J. Cryst. Growth, 145 (1--4), 179 (1994)
  11. R.V. Chelakara, M.R. Islam, J.G. Neff, K.G. Fertitta, A.L. Holmes, F.J. Ciuba, R.D. Dupuis, T.A. Richard, N. Holonyak, jr., K.C. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 65 (7), 854 (1994)
  12. W.J. Choi, P.D. Dapkus. IEEE LEOS Annual Meeting Conf. Proc., 2, 533 (1999)
  13. W.R. Hitchens, N. Holonyak, jr., P.D. Wright, J.J. Coleman. Appl. Phys. Lett., 27 (4), 245 (1975)
  14. M. Ikeda, M. Honda, Y. Mori, K. Kaneko, N. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 45 (9), 964 (1984)
  15. X.A. Valster, M.N. Finke, M.J.B. Boermans, J.M.M.V.D. Heijden, C.J.G.R. Spreuwenberg, C.T.H.F. Liedenbaum. 12th Int. Semiconductor Laser Conf. (Davos, Switzerland), Post-deadline paper vol. PD-12, p. 25 (1990)
  16. H. Hamada, K. Tominaga, M. Shono, S. Honda, K. Yodoshi, T. Yamaguchi. Electron. Lett., 28 (19), 1834 (1992)
  17. T. Tanaka, H. Yanagisawa, M. Takimoto, S. Minagawa. Electron. Lett., 29 (21), 1864 (1993)
  18. P.D. Bour, D.W. Treat, K.J. Beernink, B.S. Krusor, R.S. Geels, D.F. Welch. IEEE Trans. Photon. Technol. Lett., 6 (2), 128 (1994)
  19. H. Hamada. Materials, 10, 875 (2017)
  20. J.A. Lott, K.J. Malloy. Orange vertical cavity surface emitting lasers. In: CLEO/Pacific Rim'95, Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics (OSA, 1995) p. 258
  21. M.A. Majid, A.A. Al-Jabr, R.T. Elafandy, H.M. Oubei, M.S. Alias, B.A. Alnahhas, D.H. Anjum, T.Kh. Ng, M. Shehata, B.S. Ooi. Proc. SPIE, 9767, Novel In: Plane Semiconductor Lasers XV, 97670A (7 March 2016).
  22. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, Yu.M. Shernyakov, M.M. Kulagina, A.S. Payusov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, N.A. Cherkashin. Semicond. Sci. Technol., 32 (2), 025016 (2017)
  23. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, J. Lyytikainen, O. Okhotnikov, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, S. Schlichting, F. Nippert, A. Hoffmann. Appl. Phys. Lett., 105 (18), 181902 (2014)
  24. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, J. Lyytikainen, O. Okhotnikov, N.A. Cherkashin, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, S. Schlichting, F. Nippert, A. Hoffmann. Proc. SPIE, 9383, 93830E (2015)
  25. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67 (27), 3812 (1991)
  26. R. Notzel, J. Temmyo, T. Tamamura, T. Fukui, H. Hasegawa. Europhys. News, 27 (4), 148 (1996)
  27. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 51, 10104 (1995)
  28. N.N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I.P. Soshnikov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zukov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.P. Semyagin, D Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Electron. Mater., 30 (5), 463 (2001)
  29. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M.V. Maximov, N.Yu. Gordeev, N.A. Kaluzhniy, S.A. Mintairov, A.S. Payusov, Yu.M. Shernyakov. Proc. SPIE, 9733, 97330P (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme