Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 1520
<<<>>>
Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности
DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48448.9167
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110150
Russian Science Foundation, 16-12-10269
Надточий А.М.1, Минтаиров С.А.2, Калюжный Н.А.2, Максимов М.В.1, Санников Д.А. 3,4, Ягафаров Т.Ф.3, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
4Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: d.sannikov@skoltech.ru, timur.yagafarov@skolkovotech.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Методом время-коррелированного счета одиночных фотонов исследована фотолюминесценция с временным разрешением квантово-размерных гетероструктур InGaAs различной размерности, выращенных на подложках GaAs: квантовые точки, квантовые ямы и структуры переходной размерности - квантовые яма-точки. Обнаружено, что время спада фотолюминесценции образцов при комнатной температуре существенно зависит от их квантовой размерности: 6, 7 и более 20 нс для квантовых точек, яма-точек и ямы соответственно. Мы полагаем, что наличие центров локализации носителей заряда может приводить к наблюдаемому сокращению времени фотолюминесценции в гетероструктурах. Ключевые слова: фотолюминесценция, временное разрешение, квантово-размерные структуры.
  1. S. Freisem, G. Ozgur, K. Shavritranuruk, H. Chen, D.G. Deppe. Electron. Lett., 44, 679 (2008)
  2. C. Carmesin, F. Olbrich, T. Mehrtens, M. Florian, S. Michael, S. Schreier, C. Nawrath, M. Paul, J. Hoschele, B. Gerken, J. Kettler, S.L. Portalupi, M. Jetter, P. Michler, A. Rosenauer, F. Jahnke. Phys. Rev. B, 98, 125407 (2018)
  3. P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719814 (2009)
  4. M. Sugiyama, H. Sugiyama, T. Katoh, K. Toprasertpong, H. Sodabanlu, K. Watanabe, D. Alonso-Alvarez, N.J. Ekins-Daukes, Y. Nakano. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 24, 1606 (2016)
  5. G.E. Cirlin, R.R. Reznik, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, Yu.B. Samsonenko, S.A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, L. Leonardo. Semiconductors, 52 (4), 462 (2018)
  6. Qingnan Yu, Xue Li, Yan Jia, Wei Lu, Ming Zheng, Xing Zhang, Yongqiang Ning, Jian Wu. ACS Photonics, 5 (12), 4896 (2018)
  7. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E Zhukov. Nanotechnology, 26, 385202 (2015)
  8. А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
  9. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 32, 015006 (2017)
  10. A.S. Payusov, Yu.M. Shernyakov, A.A. Serin, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.M. Kulagina, A.E. Zhukov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov. IOP Conf. Ser.: J. Physics: Conf. Ser., 1135, 012071 (2018)
  11. E. Moiseev, N. Kryzhanovskaya, M. Maximov, F. Zubov, A. Nadtochiy, M. Kulagina, Yu. Zadiranov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, A. Zhukov. Optics Lett., 43, 4554 (2018)
  12. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov. Int. Conf. "Frontiers of 21st Century Physics and Ioffe Institute" (St. Petersburg, Russia, 2018) p. 33.
  13. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Веренер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  14. M. Gutierrez. Proc. SPIE, 5840, 486 (2005)
  15. A.M. Nadtochiy, M.V. Maximov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, Y.M. Shernyakov, A.S. Payusov, A.E. Zhukov, S. Rouvimov, A.V. Savelyev. Proc. SPIE, 10114, UNSP 101140Y (2017)
  16. А.М. Надточий, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, С.С. Рувимов, Ю.М. Шерняков, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 49 (8), 1115 (2015)
  17. R. Heitz, H. Born, T. Luttgert, A. Hoffmann, D. Bimberg. Phys. Status Solidi B, 221, 65 (2000)
  18. A. Markus, A. Fiore, J.D. Ganiere, U. Oesterle, J.X. Chen, B. Deveaud, M. Ilegems, H. Reichert. Appl. Phys. Lett., 80 (6), 911 (2002)
  19. O. Nasr, N. Chauvin, M.H. Hadj Alouane, H. Maaref, C. Bru-Chevallier, L. Sfaxi, B. Ilahi. J. Opt., 19, 025401 (2017)
  20. L.Ya. Karachinsky, S. Pellegrini, G.S. Buller, A.S. Shkolnik, N.Yu. Gordeev, V.P. Evtikhiev, V.B. Novikov. Appl. Phys. Lett., 84 (1), 7 (2004)
  21. S. Pellegrini, G.S. Buller, L.Ya. Karachinsky, A.S. Shkolnik, N.Yu. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, I.R. Sellers, M.S. Skolnick, H.Y. Liu, M. Hopkinson. Proc. SPIE, 5725, 309 (2005)
  22. I. Gontijo, G.S. Buller, J.S. Massa, A.C. Walker, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev. Jpn. J. Appl. Phys., 38 (2A), 674 (1999)
  23. M. Gurioli, A. Vinattieri, M. Colocci, C. Deparis, J. Massies, G. Neu, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B, 44 (7), 3115 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme