Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48442.9105

Переводная версия: 10.1134/S1063782619110022

Агеева Н.Н.

¹, Броневой И.Л.

¹, Забегаев Д.Н.

¹, Кривоносов А.Н.

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: ann@cplire.ru, bil@cplire.ru, kan@cplire.ru

Поступила в редакцию: 18 марта 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Во время мощной пикосекундной оптической накачки тонкого (~1 мкм) слоя GaAs в нем возникает интенсивное (до 1 ГВт/см²) стимулированное пикосекундное излучение. Обнаружено, что при фиксированной плотности энергии импульса накачки с увеличением его диаметра растет характерное пикосекундное время релаксации излучения и плотности носителей tau_r. Вследствие взаимосвязи плотности и температуры носителей при высокоинтенсивном излучении (в состоянии насыщения усиления излучения) tau_r связано с характерным временем релаксации температуры фотонакачанных носителей tau_T, определенным ранее теоретически с учетом разогрева носителей излучением. Следующее из этого аналитическое выражение для tau_r как функции tau_T согласуется с вышеуказанными экспериментальными результатами. Ключевые слова: релаксация стимулированного излучения, пикосекундное, остывание носителей заряда.

И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 542 (1998)
Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 143, 634 (2013)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 35, 65 (2001)
Х.-Г. Унгер. Планарные и волоконные оптические волноводы (М., Мир, 1980)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 144, 227 (2013)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. Радиотехника и электроника, 63, 1130 (2018)
И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 537 (1998)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. Журн. радиоэлектроники, 11, 1 (2018). http://jre.cplire.ru/jre/nov18/13/text.pdf
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
М. Грундман. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2012)
N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, S.E. Kumekov, V.A. Mironov, V.I. Perel'. [In: Mode-Locked Lasers and Ultrafast Phenomena, ed. by G.B. Altshuler] Proc. SPIE, 1842, 70 (1992)
И.Л. Броневой, С.Е. Кумеков, В.И. Перель. Письма ЖЭТФ, 43, 368 (1986)
С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 81, 969 (1992)
N.N. Ageeva, V.B. Borisov, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel', B.S. Yavich. Sol. St. Commun., 75, 167 (1990)
J. Shah, R.F. Leheny, C. Lin. Sol. St. Commun., 18, 1035 (1976)
S. Tarucha, H. Kobayashi, Y. Horikoshi, H. Okamoto. Jpn. J. Appl. Phys., 23, 874 (1984)
Т. Райс, Дж. Хенсел, Т. Филлипс, Г. Томас. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках (М., Мир, 1980)
Теория неоднородного электронного газа, под. ред. С. Лундквиста, Н. Марча (М., Мир, 1987)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, 51, 594 (2017)
D. Olego, M. Cardona. Phys. Rev. B, 22, 886 (1980)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ЖЭТФ, 147, 765 (2015)
K.V. Ivanin, A.V. Leontyev, V.S. Lobkov, V.V. Samartsev. Laser Phys. Lett., 7 (8), 583 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель