Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Квантовые поправки и магнитотранспорт в пленках 3D дираковского полуметалла Cd_3-xMn_xAs₂

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48443.9168

Переводная версия: 10.1134/S1063782619110137

Российский научный фонд, 17-12-01345

Президиум РАН, Научные основы создания новых функциональных материалов, I.35

Мехия А.Б. ¹, Казаков А.А.¹, Овешников Л.Н. ^2,1, Давыдов А.Б. ¹, Риль А.И.³, Маренкин С.Ф. ^3,4, Аронзон Б.А. ¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

³Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

⁴Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Email: a_mehia@mail.ru, ragnos@list.ru, Aronzon@mail.ru

Поступила в редакцию: 23 мая 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались тонкие пленки твердых растворов на основе трехмерного дираковского полуметалла Cd₃As₂ с добавлением марганца. Пленки Cd_3-xMn_xAs₂ (x=0, 0.05 и 0.1) толщиной 50-70 нм были получены на ситалловых подложках с помощью вакуумно-термического напыления из слитков арсенида кадмия, допированных Mn и изготовленных непосредственным сплавлением элементов вакуумно-ампульным методом. Были проведены измерения температурных и магнетополевых зависимостей сопротивления и определены транспортные параметры исследуемых пленок. В пленках с x=0 и 0.05 наблюдалось положительное магнетосопротивление характерной формы, соответствующее вкладу эффекта слабой антилокализации. При большем содержании Mn (x=0.1) наблюдался вклад от эффекта слабой локализации. Подобная смена типа квантовой поправки, применительно к топологическим полуметаллам, указывает на перестройку зонной структуры и переход из состояния дираковского полуметалла в фазу тривиального полупроводника, который в данном случае соответствует критическому содержанию Mn x_c~0.07. Ключевые слова: ситаловые подложки, вакуумно-термическое напыление, антилокализация.

N.P. Armitage, E.J. Mele, A. Vishwanath. Rev. Mod. Phys., 90 (1), 015001 (2018)
S. Borisenko, Q. Gibson, D. Evtushinsky, V. Zabolotnyy, B. Buechner, R.J. Cava. Phys. Rev. Lett., 113 (2), 027603 (2014)
Z.K. Liu, J. Jiang, B. Zhou, Z.J. Wang, Y. Zhang. Nature Materials, 13, 677 (2014)
A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 1209 (2009)
Zh. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, Zh. Fang. Phys. Rev. B, 88 (12), 125427 (2013)
Siangan Wang, Ari M. Turner, A. Viswanath, S.Y. Savrasov. Phys. Rev. B, 83 (20), 205101 (2011)
M. Neupane, Sui-Yang Xu, R. Sankar, N. Alidoust, G. Bian, Ch. Liu, I. Belopolski, T.-T. Cjang, H.-T. Jeng, H. Lin, A. Bansik, F. Chou, M.Z. Hasan. Nature Commun., 5, 3786 (2014)
Z. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, Z. Fang. Phys. Rev. B, 88, 125427 (2013)
O.O. Shvetsov, V.D. Esin, A.V. Timonina, N.N. Kolesnikov, E.V. Deviatov. Phys. Rev. B, 99, 125305 (2019)
A.V. Suslov, A.B. Davydov, L.N. Oveshnikov, L.A. Morgun, K.I. Kugel, V.S. Zakhvalinskii, E.A. Pilyuk, A.V. Kochura, A.P. Kuzmenko, V.M. Pudalov, B.A. Aronzon. Phys. Rev. B, 99, 094512 (2019)
E. Zhang, Y. Liu, W. Wang, C. Zhang, P. Zhou, Z.-G. Chen, J. Zou, F. Xiu. ACS Nano, 9, 8843 (2015)
M. Goyal, L. Galletti, S. Salmani-Rezaie, T. Schumann, D.A. Kealhofer, S. Stemme. APL Materials, 6 (2), 026105 (2018)
B.L. Altshuler, A.G. Aronov, A.I. Larkin, D.E. Khmel'nitzkii. JETP, 54 (2), 411 (1981)
D.V. Baxter, R. Richter, M.L. Trudeau, R.W. Cochrane, J.O. Strom-Olsen. J. Phys. (France), 50, 1673 (1989)
S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 63, 707 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель