Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронные состояния наносистем на основе сульфида кадмия в форме сфалерита

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48300.9092

Переводная версия: 10.1134/S1063782619100269

Отсутствует

Заводинский В.Г.¹, Кузьменко А.П.²

¹Институт материаловедения Дальневосточного отделения Российской академии наук, Хабаровск, Россия Institute of Materials Science of the Far Eastern Branch of the Russian Academy of Sciences, Khabarovsk, Russia

Institute of Materials Science of the Far Eastern Branch of the Russian Academy of Sciences, Khabarovsk, Russia

²Юго-Западный государственный университет (ЮЗГУ), Курск, Россия Southwest State University, Kursk, Russia

Email: vzavod@mail.ru

Поступила в редакцию: 4 марта 2019 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.

PDF версия

Методом теории функционала плотности с применением псевдопотенциалов исследована электронная структура наносистем на основе сульфида кадмия в фазе сфалерита (цинковой обманки - zb-CdS). Показано, что использованный подход позволяет адекватно описывать электронные состояния данного материала. Обнаружено, что поверхность (100)-zb-CdS характеризуется металлоподобной плотностью электронных состояний, в то время как поверхности (110)-zb-CdS соответствует запрещенная зона на уровне Ферми, и нанопленки с данной ориентацией могут быть использованы как материал для полупроводниковых приборов. Эпитаксиальные слоистые наносистемы (110)-zb-CdS-Si также проявляют полупроводниковые свойства. Ключевые слова: CdS, ab initio моделирование, запрещенная зона, электронная структура, наносистемы.

А.С. Ворох, А.А. Ремпель. ФТТ, 49 (1), 143 (2007)
M.H. Badawi, S. Aboul-Enein, M. Ghali, G. Hassan. Renewable Energy, 14, 107 (1998)
N. Benkhettou, D. Rached, M. Rabah. Czechoslovak J. Phys., 56 (4), 409 (2006)
D. Patidar, R. Sharma, N. Jain, T.P. Sharma, N.S. Saxena. Bull. Mater. Sci., 29, 21 (2006)
J.-F. Lami, C. Hirlimann. Phys. Rev. B, 60, 4763 (1999)
Y.J. Shin, S.K. Kim, B.H. Park, T.S. Jeong, H.K. Shin, T.S. Kim, P.Y. Yu. Phys. Rev. B, 44, 5522 (1991)
K.O. Magnusson, U.O. Karlson, D. Straub, S.A. Fodstrom, F.J. Himpsel. Phys. Rev. B, 36, 6566 (1987)
A.I. Oliva, O. Soli s-Canto, R. Castro-Rodri guez, P. Quintana. Modern. Phys. Lett. B, 15, 671 (2001)
M.B. Ortuno-Lopez, M. Sotelo-Lerma, A. Mendoza-Galvan, R. Ramirez-Bon. Vacuum, 76, 181 (2004)
R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado. Appl. Surf. Sci., 175-176, 562 (2001)
J.A. Davila-Pintle, R. Lozada-Morales, B. Rebollo-Plata, C. Martinez-Hipatl, O. Portillo-Moreno, S. Jimenez-Sandoval, O. Zelaya-Angel. Adv. Technol. Mater. and Mater. Processing, 8 (1), 1 (2006)
A. Ates, M.A. Yildirim, M. Kundak, M. Yildirim. Physica B: Condens. Matter, 406 (8), 1477 (2011)
U. Rossow, T. Werninghaus, D.R.T. Zahn, W. Ritcher, K. Horn. Thin Sol. Films, 233, 176 (1993)
Y.-M. Yu, K.-M. Kim, O. Byungsung, Ki-S. Lee, Y.D. Choi, P.Y. Yu. J. Appl. Phys., 92 (2), 15 (2002)
W.G. Wilke, R. Seedorf, K. Horn. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 807 (1989)
K.J. Chang, S. Froyen, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 28, 4736 (1983)
E.C. Ekuma, L. Franklin, G.L. Zhao, J.T. Wang, D. Bagayoko. Can. J. Phys., 89, 319 (2011)
P. Schroer, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 48, 18264 (1993)
P. Schroer, Pl. Kruger, J. Pollman. Phys. Rev. B, 49, 17092 (1994)
Y. -N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 48, 4335 (1993)
D. Vogel, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 54, 5495 (1996)
S.-P. Huang, W.-D. Cheng, D.-S. Wu, J.M. Hu, J. Shen, Z. Xie, H. Zhang, Y.-J. Gong. Appl. Phys. Lett., 90, 031904 (2007)
F. Tran, P. Blaha. Phys. Rev. Lett., 102, 226401 (2009)
O. Zakharov, A. Rubio, X. Blase, M. Cohen, S. Louie. Phys. Rev. B, 50, 10780 (1994)
M. Shishkin, G. Kresse. Phys. Rev. B, 75, 235102 (2007)
F. Fuchs, J. Furthmuller, F. Bechstedt, M. Shishkin, G. Kresse. Phys. Rev. B, 76, 115109 (2007)
A. Zunger, A.J. Freeman. Phys. Rev. B, 17, 4850 (1978)
E.C. Ekuma, L. Franklin, G.L. Zhao, J.T. Wang, D. Bagayoko. Physica B, 406, 1477 (2011)
D.J. Stukel, R.N. Euwema, T.C. Collins, F. Hermann, R.L. Kortum. Phys. Rev., 179, 740 (1969)
A.R. Hussain. J. Chem. Phys., 124, 104707 (2006)
M. Rohlfing, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. Lett., 75, 3489 (1995)
O. Zakharov, A. Rubio, X. Blase, M. Cohen, S. Louie. Phys. Rev. B, 50, 10780 (1994)
M. Beckstedte, A. Kley, J. Neugebauer, M. Scheffler. Comp. Phys. Commun., 107, 187 (1997)
H. Hohenberg, W. Kohn. Phys. Rev., 136, B864 (1964)
W. Kohn, J.L. Sham. Phys. Rev., 140, A1133 (1965)
А.А. Гниденко, В.Г. Заводинский. ФТП, 42 (7), 817 (2008)
M. Fuchs, M. Scheffler. Comp. Phys. Commun., 119, 67 (1999)
J.P. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B, 23, 5048 (1981)
D.M. Ceperly, B.J. Alder. Phys. Rev. Lett., 45, 566 (1980)
J.P. Perdew, Y. Wang. Phys. Rev. B, 33, 8800 (1986)
D.R. Hamann. Phys. Rev. B, 40, 2980 (1989)
N. Troullier, J.L. Martins. Phys. Rev. B, 43, 1993 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель