Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 10 » Статья стр. 1419
<<<>>>
Электронные состояния наносистем на основе сульфида кадмия в форме сфалерита
DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48300.9092
Переводная версия: 10.1134/S1063782619100269
Отсутствует
Заводинский В.Г.1, Кузьменко А.П.2
1Институт материаловедения Дальневосточного отделения Российской академии наук, Хабаровск, Россия
2Юго-Западный государственный университет (ЮЗГУ), Курск, Россия
Email: vzavod@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Методом теории функционала плотности с применением псевдопотенциалов исследована электронная структура наносистем на основе сульфида кадмия в фазе сфалерита (цинковой обманки - zb-CdS). Показано, что использованный подход позволяет адекватно описывать электронные состояния данного материала. Обнаружено, что поверхность (100)-zb-CdS характеризуется металлоподобной плотностью электронных состояний, в то время как поверхности (110)-zb-CdS соответствует запрещенная зона на уровне Ферми, и нанопленки с данной ориентацией могут быть использованы как материал для полупроводниковых приборов. Эпитаксиальные слоистые наносистемы (110)-zb-CdS-Si также проявляют полупроводниковые свойства. Ключевые слова: CdS, ab initio моделирование, запрещенная зона, электронная структура, наносистемы.
  1. А.С. Ворох, А.А. Ремпель. ФТТ, 49 (1), 143 (2007)
  2. M.H. Badawi, S. Aboul-Enein, M. Ghali, G. Hassan. Renewable Energy, 14, 107 (1998)
  3. N. Benkhettou, D. Rached, M. Rabah. Czechoslovak J. Phys., 56 (4), 409 (2006)
  4. D. Patidar, R. Sharma, N. Jain, T.P. Sharma, N.S. Saxena. Bull. Mater. Sci., 29, 21 (2006)
  5. J.-F. Lami, C. Hirlimann. Phys. Rev. B, 60, 4763 (1999)
  6. Y.J. Shin, S.K. Kim, B.H. Park, T.S. Jeong, H.K. Shin, T.S. Kim, P.Y. Yu. Phys. Rev. B, 44, 5522 (1991)
  7. K.O. Magnusson, U.O. Karlson, D. Straub, S.A. Fodstrom, F.J. Himpsel. Phys. Rev. B, 36, 6566 (1987)
  8. A.I. Oliva, O. Soli s-Canto, R. Castro-Rodri guez, P. Quintana. Modern. Phys. Lett. B, 15, 671 (2001)
  9. M.B. Ortuno-Lopez, M. Sotelo-Lerma, A. Mendoza-Galvan, R. Ramirez-Bon. Vacuum, 76, 181 (2004)
  10. R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado. Appl. Surf. Sci., 175-176, 562 (2001)
  11. J.A. Davila-Pintle, R. Lozada-Morales, B. Rebollo-Plata, C. Martinez-Hipatl, O. Portillo-Moreno, S. Jimenez-Sandoval, O. Zelaya-Angel. Adv. Technol. Mater. and Mater. Processing, 8 (1), 1 (2006)
  12. A. Ates, M.A. Yildirim, M. Kundak, M. Yildirim. Physica B: Condens. Matter, 406 (8), 1477 (2011)
  13. U. Rossow, T. Werninghaus, D.R.T. Zahn, W. Ritcher, K. Horn. Thin Sol. Films, 233, 176 (1993)
  14. Y.-M. Yu, K.-M. Kim, O. Byungsung, Ki-S. Lee, Y.D. Choi, P.Y. Yu. J. Appl. Phys., 92 (2), 15 (2002)
  15. W.G. Wilke, R. Seedorf, K. Horn. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 807 (1989)
  16. K.J. Chang, S. Froyen, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 28, 4736 (1983)
  17. E.C. Ekuma, L. Franklin, G.L. Zhao, J.T. Wang, D. Bagayoko. Can. J. Phys., 89, 319 (2011)
  18. P. Schroer, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 48, 18264 (1993)
  19. P. Schroer, Pl. Kruger, J. Pollman. Phys. Rev. B, 49, 17092 (1994)
  20. Y. -N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 48, 4335 (1993)
  21. D. Vogel, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 54, 5495 (1996)
  22. S.-P. Huang, W.-D. Cheng, D.-S. Wu, J.M. Hu, J. Shen, Z. Xie, H. Zhang, Y.-J. Gong. Appl. Phys. Lett., 90, 031904 (2007)
  23. F. Tran, P. Blaha. Phys. Rev. Lett., 102, 226401 (2009)
  24. O. Zakharov, A. Rubio, X. Blase, M. Cohen, S. Louie. Phys. Rev. B, 50, 10780 (1994)
  25. M. Shishkin, G. Kresse. Phys. Rev. B, 75, 235102 (2007)
  26. F. Fuchs, J. Furthmuller, F. Bechstedt, M. Shishkin, G. Kresse. Phys. Rev. B, 76, 115109 (2007)
  27. A. Zunger, A.J. Freeman. Phys. Rev. B, 17, 4850 (1978)
  28. E.C. Ekuma, L. Franklin, G.L. Zhao, J.T. Wang, D. Bagayoko. Physica B, 406, 1477 (2011)
  29. D.J. Stukel, R.N. Euwema, T.C. Collins, F. Hermann, R.L. Kortum. Phys. Rev., 179, 740 (1969)
  30. A.R. Hussain. J. Chem. Phys., 124, 104707 (2006)
  31. M. Rohlfing, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. Lett., 75, 3489 (1995)
  32. O. Zakharov, A. Rubio, X. Blase, M. Cohen, S. Louie. Phys. Rev. B, 50, 10780 (1994)
  33. M. Beckstedte, A. Kley, J. Neugebauer, M. Scheffler. Comp. Phys. Commun., 107, 187 (1997)
  34. H. Hohenberg, W. Kohn. Phys. Rev., 136, B864 (1964)
  35. W. Kohn, J.L. Sham. Phys. Rev., 140, A1133 (1965)
  36. А.А. Гниденко, В.Г. Заводинский. ФТП, 42 (7), 817 (2008)
  37. M. Fuchs, M. Scheffler. Comp. Phys. Commun., 119, 67 (1999)
  38. J.P. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B, 23, 5048 (1981)
  39. D.M. Ceperly, B.J. Alder. Phys. Rev. Lett., 45, 566 (1980)
  40. J.P. Perdew, Y. Wang. Phys. Rev. B, 33, 8800 (1986)
  41. D.R. Hamann. Phys. Rev. B, 40, 2980 (1989)
  42. N. Troullier, J.L. Martins. Phys. Rev. B, 43, 1993 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme