Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090124 
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bess009@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Проведено сравнение особенностей транспорта электронов в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных подобных сверхрешеток GaAs/AlAs, при этом количество периодов и площадь диодов были различными. Сопоставлены значения паразитных сопротивлений приконтактных областей диодов, и определена величина удельного падения напряжения на одном периоде сверхрешетки для всех особых точек на вольт-амперных характеристиках диодов. Исследован механизм возникновения стабильных колебаний тока в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs с высоким уровнем легирования. Ключевые слова: сверхрешетки, транспорт электронов, диоды, ТГЦ генерация.
- L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
- E. Schomburg, S. Brandl, K.F. Renk, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, R.N. Kyutt, B.V. Volovik, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A. Rosenauer, D. Litvinov, D. Gerthsen, D.G. Pavel'ev, Y.I. Koschurinov. Phys. Lett. A, 262 (4-5), 396 (1999)
- A.A. Ignatov, D.G. Pavel'ev, S. Winnerl, E. Schomburg, J. Grenzer, H.-J. Regl, A.D. Semenov, K.F. Renk, Yu. Koschurinov, B. Melzer, V. Ustinov, S. Ivanov, S. Schaposchnikov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 56 (16), 10303 (1997)
- Д.Г. Павельев, Н.В. Демарина, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 38 (9), 1141 (2004)
- Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.С. Иванов, А.Н. Панин, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 46 (1), 125 (2012)
- D.G. Pavelyev, V.A. Kozlov, E.S. Obolenskaya, S.V. Obolensky, V.M. Ustinov, A.P. Vasilev. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 8 (2), 231 (2018)
- S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011)
- Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.А. Козлов, Ю.И. Кошуринов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. ФТП, 50 (11), 1548 (2016)
- Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.A. Козлов, Ю.И. Кошуринов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. Журн. радиоэлектроники, 1, 1. (2016)
- Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.А. Козлов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. ФТП, 51 (11), 1439 (2017)
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- D.G. Pavel'ev, E. Schomburg, K. Hofbeck, R. Scheuerer, M. Haeussler, K.F. Renk, A.-K. Jappsen, A. Amann, A. Wacker, E. Scholl, Yu. Koschurinov. Phys. Rev. B, 65 (15), 155320 (2002)
- A.C. Тагер, B.M. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
