Представлены результаты исследований синтеза слоев n⁺-GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на виртуальных подложках GaN/c-Al₂O₃. В частности, разработан метод предэпитаксиальной очистки GaN поверхностей виртуальных подложек от инородных атомов. Показано, что для формирования слоев GaN относительно высокого качества, в том числе легированных кремнием вплоть до ~4.6· 10¹⁹ см^-3, сначала следует проводить предэпитаксиальную очистку виртуальных подложек в потоке активированных частиц азота при увеличении температуры подложки от T_S=400 до 600^oC, с последующей экспозицией поверхности подложки в потоке активированного азота при фиксированном значении T_S=600^oC в течение 1 ч. После этого температуру подложки необходимо увеличить до T_S=700^oC и осуществить окончательную очистку GaN-поверхности с использованием процедуры осаждения/десорбции галлия. Ключевые слова: GaN, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией, легирование кремнием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.