Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782619070029 
Минобрнауки РФ, Государственное задание Южного научного центра Российской академии наук на 2019 год, 01201354240
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-01206 А
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Обсуждается влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетероструктур AlInGaAsP/InP. Определены основные параметры, определяющие структурное совершенство и качество поверхности тонких эпитаксиальных пленок AlInGaAsP, выращенных на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Ключевые слова: гетероструктуры, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации.
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov. Semiconductors, 48, 21 (2014)
- H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett., 12, 128 (2017)
- S.E. Gulebaglan, E.K. Dogan, M. Aycibin, M.N. Secuk, B. Erdinc, H. Akkus. Cent. Eur. J. Phys., 11, 1680 (2013)
- A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.S. Kurochkin, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 50, 1186 (2016)
- D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.L. Stankevich, V.V. Shamakhov, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 1321 (2012)
- V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, A.V. Lyutetskiy, K.V. Bakhvalov, M.G. Rastegaeva, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Semiconductors, 48, 373 (2014)
- F. Schattiger, D. Bauer, J. Demsar, T. Dekorsy, J. Kleinbauer, D.H. Sutter, J. Puustinen, M. Guina. Appl. Phys. B, 106, 605 (2012)
- V.D. Rumyantsev, A.V. Chekalin, D.A. Malevskiy, A.N. Panchak, N.A. Sadchikov, V.M. Andreev, N.Y. Davidyuk, A.L. Luque. IEEE J. Photovolt., 5, 1715 (2015)
- A. Luque, I. Ramiro, P. Garcia-Linares, E. Antolin, A. Marti, A. Panchak, A. Vlasov, V. Andreev, A. Mellor. IEEE J. Photovolt., 5, 1074 (2015)
- M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shyarts, V.M. Andreev, A. Luque. IEEE J. Photovolt., 5, 1229 (2015)
- R.V. Levin, A.E. Marichev, M.Z. Shvarts, E.P. Marukhina, V.P. Khyostikov, B.V. Pushnyi, V.M. Andreev, M.N. Mizerov. Semiconductors, 49, 700 (2015)
- M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.Kh. Timoshina, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 49, 668 (2015)
- V. Khvostikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, N. Potapovich, M. Shvarts, S. Sorokina, A. Luque, V. Andreev. AIP Conf. Proc., 1616, 21 (2014)
- N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, A.S. Gudovskikh, A. Luque, V.M. Andreev. Int. J. Photoenergy, 2014, 836284 (2014)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Физика, 7, 41 (1989)
- D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Inorg. Mater., 50, 113 (2014)
- V.V. Kuznetsov, E.R. Rubtsov, E.A. Kognovitskaya, M.L. Lunina. Rus. J. Phys. Chem. A, 85, 2062 (2011)
- A.V. Blagin, D.P. Valyukhov, L.S. Lunin. Inorg. Mater., 44, 793 (2008)
- D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, A.E. Kazakova. Inorg. Mater., 53, 1217 (2017)
- D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunin, S.N. Chebotarev, D.A. Arustamyan, A.E. Kazakova. Semiconductors, 51, 1377 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
