Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии
Переводная версия: 10.1134/S106378261907025X 
Российский научный фонд, 17-72-10207
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Email: Inquisitor@ipmras.ru, banatale@ipmras.ru, drm@ipmras.ru, elenamor@ipmras.ru, kalinnikov@ipmras.ru, anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Исследовано влияние быстрого термического отжига на электрические и излучательные свойства эпитаксиальных слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы существенно выше уровня ее равновесной растворимости в германии. За счет использования прецизионного химического травления Ge исследованы локальные изменения электрических и излучательных свойств n-Ge/Si(001) по толщине структуры. Показано, что при относительно низких (≤500oC) температурах отжига изменение свойств таких слоев (уменьшение концентрации электронов и интенсивности сигнала фотолюминесценции) происходит при отсутствии заметного диффузионного перераспределения атомов примеси. Для относительно высоких (≥700oC) температур отжига изменения электрических и излучательных свойств слоев Ge : Sb вызваны существенным перераспределением Sb в результате ее объемной диффузии и десорбции с поверхности. В частности, диффузия Sb приводит к формированию легированных слоев в изначально нелегированных частях исследованных структур, которые в результате этого начинают давать существенный вклад в суммарную проводимость структуры и ее сигнал фотолюминесценции. Ключевые слова: SiGe-структуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, примеси, отжиг.
- M. Jamil, J. Mantey, E.U. Onyegam, G.D. Carpenter, E. Tutuc, S.K. Banerjee. IEEE Electron. Dev. Lett., 32, 1203 (2011)
- R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg. Frontiers Mater., 2, 52 (2015)
- S. Saito, A.Z. Al-Attili, K. Oda, Y. Ishikawa. Semicond. Sci. Technol., 31, 043002 (2016)
- P. Boucaud, M. El Kurdi, A. Ghrib, M. Prost, M. de Kersauson, S. Sauvage, F. Aniel, X. Checoury, G. Beaudoin, L. Largeau, I. Sagnes, G. Ndong, M. Chaigneau, R. Ossikovski. Photon. Res., 1, 102 (2013)
- L. Baldassarre, E. Sakat, J. Frigerio, A. Samarelli, K. Gallacher, E. Calandrini, G. Isella, D.J. Paul, M. Ortolani, P. Biagioni. Nano Lett., 15, 7225 (2015)
- J. Vanhellemont, E. Simoen. Mater. Sci. Semicond. Proc., 15, 642 (2012)
- M. Yamada, K. Sawano, M. Uematsu, K.M. Itoh. Appl. Phys. Lett., 107, 132101 (2015)
- K. Nakagawa, N. Sugii, S. Yamaguchi, M. Miyao. J. Cryst. Growth, 201/202, 560 (1999)
- K. Sawano, Y. Hoshi, K. Kasahara K. Yamane, K. Hamaya, M. Miyao, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 97, 162108 (2010)
- D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 118, 145701 (2015)
- M. Oehme, J. Werner, E. Kasper. J. Cryst. Growth, 310, 4531 (2008)
- C. Xu, C.L. Senaratne, P. Sims, J. Kouvetakis, J. Menendez. ACS Appl. Mater. Interf., 8 (36), 23810 (2016)
- S. Prucnal, F. Liu, M. Voelskow, L. Vines, L. Rebohle, D. Lang, Y. Berencen, S. Andric, R. Boettger, M. Helm, S. Zhou, W. Skorupa. Sci. Rep., 6, 27643 (2016)
- D. Pastor, H.H. Gandhi, C.P. Monmeyran, A.J. Akey, R. Milazzo, Y. Cai, E. Napolitani, R.M. Gwilliam, I.F. Crowe, J. Michel, L.C. Kimerling, A. Agarwal, E. Mazur, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 123, 165101 (2018)
- D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 491, 26 (2018)
- Y. Yamamoto, M.R. Barget, G. Capellini, N. Taoka, M. Virgilio, P. Zaumseil, A. Hesse, T. Schroeder, B. Tillack. Mater. Sci. Semicond. Proc., 70, 111 (2017)
- N. Higashitarumizu, Y. Ishikawa. Opt. Express, 25, 21286 (2017)
- R. Milazzo, G. Impellizzeri, D. Piccinotti, D. De Salvador, A. Portavoce, A. La Magna, G. Fortunato, D. Mangelinck, V. Privitera, A. Carnera, E. Napolitani. Appl. Phys. Lett., 110, 011905 (2017)
- G. Zhou, K.H. Lee, D.H. Anjum, Q. Zhang, X. Zhang, C.S. Tan, G. Xia. Optical Mater. Express, 8, 1117 (2018)
- D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, P.A. Yunin, D.V. Shengurov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 33, 124019 (2018)
- D.V. Yurasov, A.Yu. Luk'yanov, P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.D. Tertyshnik, M.N. Drozdov, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 413, 42 (2015)
- H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
- J.-M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
- Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49 (11), 1463 (2015)
- S.C. Jain, D.J. Roulston. Solid State Electron., 34, 453 (1991)
- A. Chroneos. J. Appl. Phys., 107, 076102 (2010).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
