"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020155
Левин Р.В.1, Неведомский В.Н.1, Баженов Н.Л.1, Зегря Г.Г.1, Пушный Б.В.1, Мизеров М.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev@vp egroup.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Представлены первые результаты исследования возможности изготовления сверхрешеток на основе InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Экспериментально показана возможность изготовления гетероструктур с напряженной сверхрешеткой типа InAs/GaSb с толщиной слоев 2-4 нм. В спектрах электролюминесценции структур при 77 K наблюдается длинноволновый пик в районе 5 мкм (0.25 эВ), вероятно, связанный с напряженной сверхрешеткой, так как твердые растворы, которые могли бы образоваться на основе составных соединений, не обеспечивают полученную энергию рекомбинации носителей.
  1. G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67 (12), 2681 (1995)
  2. D.L. Smith, C. Mailhiot. J. Appl. Phys., 62 (6), 2545 (1987)
  3. Y. Huang, J.-H. Ryou, R.D. Dupuis, D. Zuo, B. Kesler, S.-L. Chuang, H. Hu, K.-H. Kim, Y.T. Lu, К.С. Hsieh, J.-M. Zuo. Appl. Phys. Lett., 99, 011109 (2011)
  4. R. Taalat, J.-В. Rodriguez, M. Delmas, Ph. Christol. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 015101 (2014)
  5. Р.В. Левин, А.А. Усикова, В.Н. Неведомский, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Б.В. Пушный, Г.Г. Зегря. Тез. докл. XXV Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., 2018) т. 1, с. 247
  6. В.М. Андреев, Р.В. Левин, Б.В. Пушный. Патент РФ N 2611692 от 28.02.2017

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.