"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020064
Министерство образования и науки Российской Федерации, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы, 14.577.21.0250 от 26.09.2017 г.
Ерофеев Е.В.1, Федин И.В.1, Федина В.В.1, Фазлеев А.П.2
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Email: erofeev@sibmail.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Исследованы закономерности формирования низкотемпературного омического контакта на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам Al0.25Ga0.75N/GaN на кремниевых подложках. Получены омические контакты на основе композиции Ta/Al/Ti (10/300/20 нм), характеризующиеся низким значением приведенного контактного сопротивления (0.4 Ом·мм), а также гладкой морфологией поверхности контактной площадки и ее края после термической обработки при T=550oC в течение t=60 с в среде азота.
  • M. Rosker, C. Bozada, H. Dietrich. CS MANTECH Conf. Proc. (Tampa, USA, 2009)
  • В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
  • H.P. Xin, S. Poust, W. Sutton. CS MANTECH Conf. Proc. (Portland, Oregon, USA, 2010)
  • V. Tilak, R. Dimitrov, M. Murphy, B. Green, J. Smart, W.J. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 622, T7.4.1 (2000)
  • F.A. Faria, J. Guo, P. Zhao, G. Li, P.K. Kandaswamy, M. Wistey, H.G. Xing, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 101, 109 (2012)
  • B. Van Daele, G. Van Tendeloo, W. Ruythooren. Appl. Phys. Lett., 87, 061905 (2005)
  • M.W. Fay, G. Moldovan, P.D. Brown. J. Appl. Phys., 92, 94 (2002)
  • F.M. Mohammed, L.K. Wang, S. Liang, H.H. Deepak, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (3), 2330 (2005)
  • A. Firrencieli, B. Jaeger, S. Decoutere. Jpn. J. Appl. Phys., 53, 03EF01-1 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.