"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурные, оптические и фоточувствительные свойства пленок PbS, осажденных в присутствии CaCl2
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020179
Правительство Российской Федерации, 211, 02.А03.21.0006
ФАНО России, «Поток» № АААА-А18-118020190112-8
ФАНО России, «Спин», № АААА-А18-118020290104-2
УрО РАН, №18-10-2-37
Маскаева Л.Н. 1,2, Мостовщикова Е.В. 3, Марков В.Ф. 1,2, Воронин В.И. 3
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: mln@ural.ru, mostovsikova@imp.uran.ru, v.f.markov@urfu.ru, voronin@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Синтезированы поликристаллические пленки сульфида свинца PbS, легированного кальцием, на подложках из ситалла и стекла методом гидрохимического осаждения с использованием тиокарбамида и добавки CaCl2 до 5 ммоль/л. Введение добавки CaCl2 в реакционный раствор существенно увеличивает индукционный период процесса синтеза. Толщина пленок PbS составляет 200 нм, PbS(Ca) --- 150 нм при среднем размере кристаллитов ~100 нм. Максимальная концентрация кальция в составе пленок составляет 0.06 ат% для слоев на ситалле и 0.11 ат% для слоев на стекле. Легирование кальцием не влияет на кристаллическую структуру сульфида свинца (кубическая B1 структура, пространственная группа Fm3() m), но приводит к увеличению периода кристаллической решетки с a=0.59343(2) до a=0.59413(1) нм, а также к росту величины микродеформаций и частичному упорядочению кристаллитов, формирующих пленку. Ширина запрещенной зоны уменьшается при введении кальция от Eg=0.40 эВ при 295 K (0.38 эВ при 90 K) до Eg=0.38 эВ (0.37 эВ). Введение в реакционную смесь CaCl2 до 5 ммоль/л приводит к повышению вольт-ваттной чувствительности пленок в ~1.7 раза, что связывается с образованием в их составе кислородсодержащих соединений в результате увеличения длительности индукционного периода процесса синтеза.
  • H. Kanazawa, S. Adachi. J. Appl. Phys., 83, 5997 (1998)
  • P.K. Nair, V.M. Garcia, A.B. Hernandez, M.T.S. Nair. J. Phys. D: Appl. Phys., 24, 1466 (1991)
  • S. Kouissa, A. Djemel, M.S. Aida, M.A. Djouadi. Sensors Transducers, 193 (10), 106 (2015)
  • В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Журн. аналитической химии, 56 (8), 846 (2001). [V.F. Markov, L.N. Maskaeva. J. Analytical Chem., 56 (8), 754 (2001)]
  • И.В. Зарубин, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Н.В. Зарубина, М.В. Кузнецов. Журн. аналитической химии, 72 (3), 266 (2017). [I.V. Zarubin, V.F. Markov, L.N. Maskaeva, Н.В. N.V. Zarubina, M.V. Kuznetsov. J. Analytical Chem., 72 (3), 327 (2017)]
  • В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева. Техносферная безопасность, 1 (6), 32 (2015)
  • N.B. Kotadiya, A.J. Kothari. Appl. Phys. A, 108, 819 (2012)
  • M. Alanyali ov glu F. Bayrak ceken, U. Demir. Electrochimica Acta, 54 (26), 6554 (2009)
  • M.G. Faraj, M.Z. Pakhuruddin. Int. J. Thin Films Sci. Technol., 4 (3), 215 (2015)
  • C. Rajashree, A.R. Balu, V.S. Nagarethinam. Int. J. Chem. Techn. Res., 6 (1), 347 (2014)
  • J. Wu, C. Tang, H. Xu, W. Yan. J. Alloys Comp., 633, 83 (2015)
  • F. Gode, O. Baglayan, E. Guneri. Chalcogenide Lett., 12 (10), 519 (2015)
  • A.N. Chattarki, S.S. Kamble, L.P. Deshmukh. Mater. Lett., 67 (1), 39 (2012)
  • L.F. Koao, F.B. Dejene, H.C. Swart. Int. J. Electrochem. Sci., 9, 1747 (2014)
  • K.C. Preetha, K. Deepa, A.C. Dhanya, T.L. Remadevi. IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng., 73 (1), 012086 (2015)
  • B.A. Ezekoye, T.M. Emeakaroha, V.A. Ezekoye, K.O. Ighodalo, Int. J. Phys. Sci., 10 (13), 385 (2015)
  • M.M. Abbas, A.M. Shehab, A.K. Samuraee, N.A. Hassah. Energy. Procedia, 6, 241 (2011)
  • J.A. Garcia-Valenzuela, M.R. Baez-Gaxiola, M.R. Sotelo-Lerma. Thin Sol. Flims, 534, 126 (2013)
  • V.M. Simic, Z.B. Marinkovich. J. Infr. Phys., 8 (8), 189 (1968)
  • M. Chavez Portillo, X. Mathew, H. Santiesteban Juareza, M. Pacio Castillo. Superlatt. Microstr., 109, 423 (2017)
  • S. Cheemadan, K. Keerthana, M.C. Santhosh Kumar. J. Environ. Nanotechnol., 2 (4), 28 (2014)
  • C. Rajeshree, A.R. Balu. Optik, 127 (20), 8892 (2016)
  • B. Touati, A.S. Gassoumi, N.K. Alfaify, N.K. Turky. Mater. Sci. Semicond. Processing, 34, 82 (2015)
  • O. Portillo Moreno, R. Gutierrez Perez, M. Chavez Portillo L. Chaltel Lima, G. Hernandez Tellez, E. Rubio Rosas. Optic, 127 (22), 10273 (2016)
  • Gassoumi Abdelaziz, Alleg Safia, Kamoun Najoua. J. Molecular Structure, 1116, 67 (2016)
  • E. Yucel, Y. Yucel. Ceramics International, 43 (1), 407 (2017)
  • E. Yucel, Y. Yucel. Optik --- International J. for Light and Electron Optics, 142, 82 (2017)
  • В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Г.А. Китаев. Неорг. матер., 36 (7), 792 (2000). [V.F. Markov, L.N. Maskaeva, G.A. Kitaev. Inorganic Mater., 36 (7), 657 (2000)]
  • Г. Шварценбах, Г. Флашка. Комплексонометрическое титрование (Пер. с нем. М., Химия, 1970) [ Die komplexometrische Titration. G. Schwarzenbach, H. Flaschka (Ferdinand Enke Verlag, Stuttgart, 1965)]
  • H.M. Rietveld. J. Appl. Crystallogr., 2 (2), 65 (1969)
  • R.B. Schoolar, J.R. Dixon. Phys.Rev., 137, A667 (1965)
  • P.J. Lin, L. Kleinman. Phys. Rev., 142, 478 (1966)
  • S.E. Kohn, P.Y. Yu, Y. Petroff, Y.R. Shen, Y. Tsang, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 8, 1477 (1973)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Y. Wang, A. Suna, W. Mahler, R. Kasowski. Chem. Phys., 87, 7315 (1987)
  • W.W. Scanlon. Sol. St. Phys., 9, 83 (1959)
  • S. Espevik, C. Wu, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 42 (9), 3513 (1971)
  • G.H. Blount, P.J. Schreiber, D.K. Smith, R.T. Yamada. J. Appl. Phys., 44 (3), 978 (1973)
  • G.P. Kothiyal, B. Ghosh, R.V. Deshpande. Thin Sol. Films, 58 (1), 36 (1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.