Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46989.8867

Переводная версия: 10.1134/S1063782619010238

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 2018_18-42-540008

Тысченко И.Е.¹, Жанаев Э.Д.¹, Попов В.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: tys@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 19 марта 2018 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены гидрофильность поверхности и энергия связи пластин кремния и сапфира при температуре соединения 50^oC. Установлено, что нагрев пластин Si и Al₂O₃ до 50^oC сопровождается ростом степени гидрофильности их поверхностей. Эффект объясняется улучшением степени чистоты поверхности за счет десорбции примесных атомов в вакуум и увеличением плотности оборванных связей. Обнаружен рост энергии связи пластин кремния и сапфира при температуре соединения 50^oC и последующем нагреве в интервале 100-250^oC по сравнению с ее значениями при соединении при комнатной температуре. Определена энергия активации роста энергии связи, которая составила 0.57 эВ.

V.M. Stuchebnikov. J. Commun. Technol. Electron., 50, 622 (2005)
H.M. Manasevit, W.L. Simpson. J. Appl. Phys., 35, 1349 (1964)
Q.-Y. Tong, U. Gosele. Semiconductor wafer bonding (Ins. John Wiley and Sons Inc., 1999)
D.M. Jefkins. J. Phys. D: Appl. Phys., 3, 770 (1970)
R. Meyer, O. Kononchuk, H. Moriceau, M. Lemiti, M. Bruel. Solid State Electron., 115 (pt B), 225 (2016)
В.П. Попов, Э.Д. Жанаев, Н.В. Дудченко, В.А. Антонов, А.И. Попов. Патент РФ N 2538352. Заявитель и патентообладатель Новосибирск, ИФП СО РАН, N 2013126847/(039881). [Бюл. N 1 (2015)]
P. Kopperschmidt, G. Kastner, D. Hesse, N. . Zakharov, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 70, 2972 (1997)
А. Адамсон. Физическая химия поверхностей, под ред. З.М. Зорина, В.М. Муллера (М., Мир, 1979)
P.P. Gillis, J.J. Gilman. J. Appl. Phys., 35, 647 (1964)
W.P. Maszara, G. Goetz, A. Caviglia. J.B. McKitterick. J. Appl. Phys., 64, 4843 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель