Вышедшие номера
Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130080
Хвостиков В.П.1, Калиновский В.С.1, Сорокина C.В.1, Шварц М.З.1, Потапович Н.С.1, Хвостикова О.А.1, Власов А.С.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Разработаны и изготовлены источники электропитания на основе фотоэлектрических преобразователей и радиолюминесцентных тритиевых ламп с голубым и зеленым свечением. Методом низкотемпературной эпитаксии из жидкой фазы получены гетероструктуры (p-n) AlxGa1-xAs с различными значениями ширины запрещенной зоны (Eg=1.4-1.9 эВ) и составом активной области (x=0.1-0.35). Фотоэлектрический преобразователь площадью S=0.12 см2 при облучении зеленой тритиевой лампой (длина волны lambda=550 нм) характеризуется плотностью тока короткого замыкания 180 нA/cм2 и выходной электрической мощностью >100 нВт/cм2.