Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (lambda=1064 нм) на основе GaInAsP/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130079 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: svsorokina@mail.ioffe.ru, Lev@vpegroup.ioffe.r u
Поступила в редакцию: 5 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.
На основе решеточно-согласованных гетероструктур GaInAsP/InP, полученных газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с засветкой со стороны подложки. Рассмотрены варианты просветляющих покрытий с минимумом отражения при длинe волны lambda=1064 нм, а также особенности монтажа чипов с использованием паяльных паст с различающимися температурами плавления. В условиях равномерного облучения для мощности 1.2 Вт на фотопреобразователях площадью 3.5x3.5 мм2 получен кпд 34.5% (lambda=1064 нм).
- Li Fang-Qin, Zhang Xiao-Fu, Zong Nan, Yang Jing, Peng Qin-Jun, Cui Da-Fu, Xu Zu-Yan. Chinese Phys. Lett., 26, 114206 (2009)
- Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, И.П. Ипатова, В.А. Щукин, Н.А. Берт, А.А. Ситникова. ФТП, 33 (9), 1108 (1999)
- M. Razeghi, M. Defour, F. Omnes, P. Maurel, E. Bigan, O. Acher, J. Nagle, F. Brillouet, J.C. Portal. J. Cryst. Growth, 93 (1--4), 776 (1988)
- K. Onabe. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (5), 797 (1982)
- M. Zarin, N. Potapovich, V. Vasil'ev, V. Khvostikov. Book of abstracts Saint-Petersburg OPEN 2014" p. 207
- М.А. Зарин. Тез. докл. 15-й Всеросс. молодежной конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2013) с. 79
- А.Е. Маричев, В.П. Хвостиков. Тез. докл. 15-й Всеросс. молодежной конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2013) с. 24
- А.Е. Маричев, Р.В. Левин. Тез. докл. Росс. молодежной конф. по физике и астрономии ФизикА. СПб" (Санкт-Петербург, 2013) с. 168
- В.М. Андреев, Р.В. Левин, Б.В. Пушный, А.Е. Маричев. Заявка на патент РФ N 2017126798 от 25.07.2017
- H. Hasegawa, H.L. Hartnagel. J. Electrochem. Soc., 123 (5), 713 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
