"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения (lambda=1064 нм) на основе GaInAsP/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130079
Хвостиков В.П.1, Сорокина С.В.1, Потапович Н.С.1, Левин Р.В.1, Маричев А.E.1, Тимошина Н.Х.1, Пушный Б.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: svsorokina@mail.ioffe.ru, Lev@vpegroup.ioffe.r u
Поступила в редакцию: 5 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

На основе решеточно-согласованных гетероструктур GaInAsP/InP, полученных газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений, разработаны фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с засветкой со стороны подложки. Рассмотрены варианты просветляющих покрытий с минимумом отражения при длинe волны lambda=1064 нм, а также особенности монтажа чипов с использованием паяльных паст с различающимися температурами плавления. В условиях равномерного облучения для мощности 1.2 Вт на фотопреобразователях площадью 3.5x3.5 мм2 получен кпд 34.5% (lambda=1064 нм).
  1. Li Fang-Qin, Zhang Xiao-Fu, Zong Nan, Yang Jing, Peng Qin-Jun, Cui Da-Fu, Xu Zu-Yan. Chinese Phys. Lett., 26, 114206 (2009)
  2. Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, И.П. Ипатова, В.А. Щукин, Н.А. Берт, А.А. Ситникова. ФТП, 33 (9), 1108 (1999)
  3. M. Razeghi, M. Defour, F. Omnes, P. Maurel, E. Bigan, O. Acher, J. Nagle, F. Brillouet, J.C. Portal. J. Cryst. Growth, 93 (1--4), 776 (1988)
  4. K. Onabe. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (5), 797 (1982)
  5. M. Zarin, N. Potapovich, V. Vasil'ev, V. Khvostikov. Book of abstracts Saint-Petersburg OPEN 2014" p. 207
  6. М.А. Зарин. Тез. докл. 15-й Всеросс. молодежной конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2013) с. 79
  7. А.Е. Маричев, В.П. Хвостиков. Тез. докл. 15-й Всеросс. молодежной конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2013) с. 24
  8. А.Е. Маричев, Р.В. Левин. Тез. докл. Росс. молодежной конф. по физике и астрономии ФизикА. СПб" (Санкт-Петербург, 2013) с. 168
  9. В.М. Андреев, Р.В. Левин, Б.В. Пушный, А.Е. Маричев. Заявка на патент РФ N 2017126798 от 25.07.2017
  10. H. Hasegawa, H.L. Hartnagel. J. Electrochem. Soc., 123 (5), 713 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.