Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
Переводная версия: 10.1134/S1063782618130031 
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.
Изучено накопление зарядов в МОП-структурах с легированным и нелегированным поликремниевым затвором с Al-контактами и без них при тунннельной инжекции электронов из затвора и из кремниевой подложки. Показано, что независимо от полярности инжекции вблизи поликремниевого затвора накапливается отрицательный заряд, а вблизи кремниевой подложки положительный. При больших зарядах инжекции вблизи кремниевой подложки также появляется отрицательный заряд. Результаты описаны с помощью численной модели, в которой учтено образование электронных ловушек при нанесении Al-контактов и генерация электронных ловушек при рекомбинации свободных электронов с захваченными на ловушки дырками.
- Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
- О.В. Александров. ФТП, 51 (8), 1105 (2017)
- Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 57 (8), 2830 (1985)
- В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Г.Г. Бондаренко, А.А. Столяров, В.А. Шахнов. Микроэлектроника, 26 (6), 440 (1997)
- Y.-B. Park, D.K. Schroeder. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 1361 (1998)
- О.В. Александров, С.А. Мокрушина. ФТП, 52 (6), 637 (2018)
- P. Fazan, M. Dutoit, C. Martin, M. Ilegems. Solid-State Electron., 30, 829 (1987)
- J.F. Zhang, S. Taylor, W. Eccleston. J. Appl. Phys., 71 (2), 725 (1992)
- D.J. Di Maria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 73, 3367 (1993)
- C. Chen, W.L. Wilson, M.Smayling. J. Appl. Phys., 83 (7), 3898 (1998)
- C.C. Hsu, S.C.S. Pan, C.-T. Sah. J. Appl. Phys., 58 (3), 1326 (1985)
- H. Uchida, T. Ajioka. Appl. Phys. Lett., 51 (6), 433 (1987)
- M.M. Heyns, D.K. Rao, R.F. Keersmaecker. Appl. Surf. Sci., 39, 327 (1989)
- S. Ogawa, N. Shiono, M. Shimaya. Appl. Phys. Lett., 56 (14), 1329 (1990)
- I.C. Chen, S. Holland, C. Hu. J. Appl. Phys., 61 (9), 4544 (1987)
- V.J. Kapoor, F.G. Feigl, S.R. Butler. J. Appl. Phys., 48, 739 (1977)
- F.J. Feigl, D.R. Young, D.J. DiMaria, S. Lai, J. Calise. J. Appl. Phys., 52, 5665 (1981)
- А.М. Емельянов. ФТП, 52, 1060 (2010)
- M. Aslam, R. Singh, P. Balk. Phys. Status Solidi A, 84, 659 (1984)
- P. Balk, M. Aslam, D.R. Young. Solid-State Electron., 27, 709 (1984)
- B.E. Deal, E.L. Mac Kenna, P.L. Castro. J. Electrochem. Soc., 116, 997 (1969)
- Ю.В. Федорович, Л.К. Думиш. ФТП, 6, 2321 (1972)
- P.J. Chen, R.M. Wallance. J. Appl. Phys., 86, 2237 (1999)
- Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 60 (6), 2024 (1986)
- W.D. Zhang, J.F. Zhang, M.J. Lalor, D.R. Burton, G. Groeseneken, R. Degraeve. Semicond. Sci. Technol., 18, 174 (2003)
- M. Aslam. IEEE Trans. Electron. Dev., 34, 2535 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
