Проведено экспериментальное исследование анодного растворения низколегированного n-Si(100) в электролите, состоящем из 4% раствора HF в 30% перекиси водорода, при напряжении выше напряжения пробоя. Изучено влияние величины освещенности обратной стороны пластины на морфологию пористой структуры и на такие параметры, как пористость, эффективная валентность и скорость роста пор. Полученные данные сравниваются с данными для структур, подвергшихся фотоанодированию в водном электролите с той же концентрацией HF. Установлено, что наличие перекиси водорода значительно меняет морфологию макропор, уменьшает их диаметр и увеличивает в ~ 2 раза скорость роста в глубь подложки. В присутствии H₂O₂ наблюдается появление наклонных вторичных пор, ориентированных под углом 15-35^o к оси основного канала, и увеличение числа пробойных мезопор, распространяющихся в направлениях < 100> в плоскости, параллельной поверхности образца. Эффективная валентность электрохимического растворения кремния в электролите HF : H₂O₂ при низком уровне подсветки близка к единице и возрастает с интенсивностью света, оставаясь всегда меньше 2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.