С использованием аналитической высокоразрешающей электронной микроскопии исследована структура Si и перераспределение aтомов отдачи Er и O в тонких (~10 нм) приповерхностных слоях, внедренных с помощью имплантации Ar⁺ с энергией 250-290 кэВ и дозой 1·10¹⁶ см^-2 через пленки соответственно Er и SiO₂ и последующего отжига. Установлено, что рекристаллизация Si срывается на расстоянии ~20 нм от поверхности, где достигается критическое для срыва значение концентрации эрбия 5·10¹⁹ см^-3 при T=950^oС. Это опровергает общепринятую модель переноса атомов Er фронтом рекристаллизации в SiO₂ на поверхности. Вместо этого показано, что перераспределение атомов отдачи O к исходному оксиду во время отжига при неподвижных атомах Er обеспечивает формирование поверхностно неоднородных фаз эрбия таким образом, что обогащенная кислородом фаза Er-Si-O оказывается сосредоточенной в оксиде, а обедненная фаза Er-Si остается в Si. Это объясняет частичную потерю внедренного Er после снятия оксида вместе с Er-Si-O фазой. Показано, что нетипичное для рекристаллизации (100)-Si образование большой плотности микродвойников (локально до 10¹³ см^-2) связано с образованием пузырей и кластеров Ar.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.