Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследованы процессы диффузионного размытия периодической системы квантовых ям GaAs, разделенных барьерами AlGaAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (200^oC) и дополнительно легированной изовалентными примесями Sb и P. Отжиг при температуре 750^oC в течение 30 мин после роста приводил к увеличению энергии пика фотолюминесценции экситонного состояния e1-hh1 в квантовых ямах вследствие размытия эпитаксиальных интерфейсов GaAs/AlGaAs, вызванных усиленной взаимодиффузией атомов Al-Ga по катионной подрешетке. Для профиля концентрации Al в квантовых ямах, определяемого линейной диффузией, было решено уравнение Шредингера для электронов и дырок. Оказалось, что экспериментально наблюдаемое энергетическое положение пика фотолюминесценции соответствует длине взаимной диффузии Al-Ga 3.4 нм и эффективному коэффициенту диффузии 6.3· 10^-17 см²/c для температуры 750^oC. Полученное значение оказалось близким к значению для квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре без дополнительного легирования примесями Sb и P. Полученные результаты позволяют сделать вывод о незначительном влиянии усиленной взаимодиффузии As-Sb и As-P в анионной подрешетке на процессы взаимодиффузии Al-Ga по катионной подрешетке.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.