"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618120102
ФАНО России, государственное задание, шифр ” Электрон“, АААА-А18-118020190098-5
РФФИ, 18-02-00172
РФФИ, 18-32-00382
РФФИ, 18-02-00192
Уральское отделение РАН, ФИ УрО РАН, 18-10-2-6
Гудина С.В.1, Арапов Ю.Г.1, Ильченко Е.В.1, Неверов В.Н.1, Савельев А.П.1, Подгорных С.М.1,2, Шелушинина Н.Г.1, Якунин М.В.1,2, Васильевский И.С.3, Виниченко А.Н.3
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: svpopova@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Проведено исследование продольного rhoxx и холловского rhoxy сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах T=0.4-30 K в двумерных электронных системах n-In0.9Ga0.1Аs/In0.81Al0.19As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления rhoxx, связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.
  • A.M.M. Pruisken. Phys. Rev. Lett., 61, 1297 (1988)
  • B. Huckestein. Rev. Mod. Phys., 67, 357 (1995)
  • A.M.M. Pruisken. Int. J. Mod. Phys. B, 24, 1895 (2010)
  • J.T. Chalker, P.D. Coddington. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 21, 2665 (1988)
  • H.P. Wei, D.C. Tsui, M.A. Paalanen, A.M.M. Pruisken. Phys. Rev. Lett., 61, 1294 (1988)
  • W. Li, J.S. Xia, C. Vicente, N.S. Sullivan, W. Pan, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. B, 81, 033305 (2010)
  • W. Li, C.L. Vicente, J.S. Xia, W. Pan, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 102, 216801 (2009)
  • N.Q. Balaban, U. Meirav, I. Bar-Joseph. Phys. Rev. Lett., 81, 4967 (1998)
  • J. Wakabayashi, M. Yamane, S. Kawaji. J. Phys. Soc. Jpn., 58, 1903 (1989)
  • S. Koch, R.J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 883 (1991)
  • S.Koch, R.J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, 43, 6828 (1991)
  • D. Shahar, M. Hilke, C.C. Li, D.C. Tsui, S.L. Sondhi, J.E. Cunningham, M. Razeghi. Sol. St. Commun., 107, 19 (1998)
  • D. Shahar, D.C. Tsui, M. Shayegan, E. Shimshoni, S.L. Sondhi. Phys. Rev. Lett., 79, 479 (1996)
  • P.T. Coleridge. Sol. St. Commun., 112, 241 (1999)
  • R.T.F. van Schaijk, A. de Visser, S. Olsthoorn, H.P. Wei, A.M.M. Pruisken. Phys. Rev. Lett., 84, 1567 (2000)
  • Yu.G. Arapov, G.A. Alshanskii, G.I. Harus, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, O.A. Kuznetsov. Nanotechnology, 13, 86 (2002)
  • L. Wang, T. Tu, C. Zhou, Y-J. Zhao, G-C. Guo, G-P. Guo. Mod. Phys. Lett., 27, 1350202 (2013)
  • Z. Wang, D-H. Lee, X- G. Wen. Phys. Rev. Lett., 72, 2454 (1994)
  • D.K. Lee, J.T. Chalker. Phys. Rev. Lett., 72, 1510 (1994)
  • G. Xiong, S.-D. Wang, Q. Niu, Y. Wang, X.C. Xie, D.-C. Tian, X.R. Wang. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 2029 (2006)
  • G. Xiong, S.-D. Wang, Q. Niu, Y. Wang, X.R. Wang. EPL, 82, 47008 (2008)
  • F.W. VanKeuls, H.W. Jiang, A.J. Dahm. Czech. J. Phys., 46, Suppl. S5, 2467 (1996)
  • R. Meisels, F. Kuchar, W. Belitsch, B. Kramer. Microelectron. Eng., 47, 23 (1999)
  • D.G. Polyakov, M.E. Raikh. Phys. Rev. Lett., 75, 1368 (1995)
  • S.W. Hwang, H.P. Wei, L.V. Engel, D.C. Tsui, A.M.M. Pruisken. Phys. Rev. B, 48, 11416 (1993)
  • L.W. Engel, D.Shahar, C. Kurdak, D.C. Tsui. Phys. Rev. Lett., 71, 2638 (1993)
  • H.P. Wei, L.W. Engel, D.C. Tsui. Phys. Rev. B, 50, 14609 (1994)
  • Y.J. Zhao, T. Tu, X.J. Hao, G.C. Guo, H.W. Jiang, G.P. Guo. Phys. Rev. B, 78, 233301 (2008)
  • S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelyev, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, K. Rogacki, I.S. Vasil'evskii, A.N. Vinichenko. JMMM, 440, 10 (2017)
  • I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, M.M. Grekhov, A.N. Vinichenko, D.V. Lavrukhin, O.S. Kolentsova. Semiconductors, 50, 559 (2016)
  • I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, E.A. Klimov, A.L. Kvanin, S.S. Pushkarev, M.A. Pushkin. Semiconductors, 45, 1158 (2011)
  • Yu.G. Arapov, S.V. Gudina, A.S. Klepikova, V.N. Neverov, S.G. Novokshonov, G.I. Kharus, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin. JETP, 117, 144 (2013)
  • A.J.M. Giesbers, U. Zeitler, L.A. Ponomarenko, R. Yang, K.S. Novoselov, A.K. Geim, J.C. Maan. Phys. Rev. B, 80, 241411(R) (2009)
  • T. Khouri, M. Bendias, P. Leubner, C. Brune, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, U. Zeitler, N.E. Hussey, S. Wiedmann. Phys. Rev. B, 93, 125308 (2016)
  • H.P. Wei, S.Y. Lin, D.C. Tsui, A.M.M. Pruisken. Phys. Rev. B, 45, 3926(R) (1992)
  • W. Li, G.A. Csathy, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 94, 206807 (2005)
  • B. Karmakar, M.R. Gokhale, A.P. Shah, B.M. Arora, D.T.N. de Lang, A. de Visser, L.A. Ponomarenko, A.M.M. Pruisken. Physica E, 24, 187 (2004)
  • A.M.M. Pruisken, I.S. Burmistrov. JETP Lett., 87, 220 (2008)
  • I.S. Burmistrov, S. Bera, F. Evers, I.V. Gornyi, A.D. Mirlin. Ann. Phys., 326, 1457 (2011)
  • Yu.G. Arapov, S.V. Gudina, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskiy. Semiconductors, 49, 1545 (2015)
  • S. Koch, R.J. Haug, K.v. Klitzing, K. Ploog. Semicond. Sci. Technol. 10, 209 (1995)
  • K.-H. Yoo, H.C. Kwon, J.C. Park. Sol. St. Commun., 92, 821 (1994)
  • F. Hohls, U. Zeitler, R.J. Haug. Phys. Rev. Lett., 88, 036802 (2002)
  • N.A. Dodoo-Amoo, K. Saeed, D. Mistry, S.P. Khanna, L. Li, E.N. Linfield, A.G. Davies, J.E. Cunningham. J. Phys.: Condens. Matter, 26, 475801 (2014)
  • W. Li, G.H. Csathy, D.C. Tsui, L.N. Pfeiffer, K.W. West. Appl. Phys. Lett., 83, 2832 (2003)
  • A.M.M. Pruisken, C.B. Scoric, M.A. Baranov. Phys. Rev. B, 60, 16838 (1999)
  • C.-H. Liu, P.-H. Wang, T.-P. Woo, F.-Y. Shih, S.-C. Liou, P.-H. Ho, C.-W. Chen, C.-T. Liang, W.-H. Wang. Phys. Rev. B, 93, 041421(R) (2016)
  • D.H. Lee, Z. Wang. Phys. Rev. Lett., 76, 4014 (1996)
  • A.M.M. Pruisken, M.A. Baranov. Europhys. Lett., 31, 543 (1995)
  • A.M. Finkelstein. Int. J. Mod. Phys. B, 24, 1855 (2010)
  • Yu.G. Arapov, S.V. Gudina, A.S. Klepikova, V.N. Neverov, G.I. Harus, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin. Low Temp. Phys., 41, 106 (2015)
  • S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Saveliev, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, I.S. Vasil'evskii, A.N. Vinichenko (unpublished)
  • С.В. Гудина, Е.В. Ильченко, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. Тез. докл. XIII Росс. конф. по физике полупроводников (Екатеринбург, 2017) с. 174
  • A.L. Efros. Phys. Rev. B, 45, 11354 (1992)
  • N.R. Cooper, J.T. Chalker. Phys. Rev. B, 48 4530 (1994).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.