Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46593.15

Переводная версия: 10.1134/S1063782618110064

Деребезов И.А.^1,2, Гайслер В.А.¹, Гайслер А.В.¹, Дмитриев Д.В.¹, Торопов А.И.¹, von Helversen M.³, de la Haye C.³, Bounouar S.³, Reitzenstein S.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, Россия Siberian State University of Telecommunications and Information Science, Novosibirsk, Russia

Siberian State University of Telecommunications and Information Science, Novosibirsk, Russia

³Technische Universitat Berlin, Institut fur Festkorperphysik Eugene-Wigner-Gebaude, Berlin, Federal Republic of Germany Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik Eugene-Wigner-Gebäude, Berlin, Federal Republic of Germany

Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik Eugene-Wigner-Gebäude, Berlin, Federal Republic of Germany

Email: derebezov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована система квантовых точек на основе AlInAs и (111)InGaAs. Использование широкозонных твердых растворов Al_xIn_1-xAs в качестве основы квантовых точек позволило существенно расширить спектральный диапазон излучения в коротковолновую область, включая участок длин волн вблизи 770 нм, представляющий интерес для разработки аэрокосмических систем квантовой криптографии. Исследована тонкая структура экситонных состояний AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек. Показано, что для набора квантовых точек расщепление экситонных состояний сравнимо с естественной шириной экситонных линий, что представляет интерес для разработки излучателей фотонных пар на их основе.

N. Gisin, G. Ribordy, W. Tittel, H. Zbinden. Rev. Mod. Phys., 74 (1), 145 (2002)
В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. ФТП, 49 (1), 35 (2015)
A. Lochmann, E. Stock, O. Schulz, J.A. Tofflinger, W. Unrau, A. Toropov, A. Bakarov, V. Haisler, D. Bimberg. Electron. Lett., 45 (13), 566 (2009)
O. Benson, C. Santori, M. Pelton, Y. Yamamoto. Phys. Rev. Lett., 84, 2513 (2000)
D. Bimberg, E. Stock, A. Lochmann, A. Schliva, J.A. Tofflinger, W. Unrau, M. Munnix, S. Rodt, V.A. Haisler, A.I. Toropov, A. Bakarov. IEEE Photon. J., 1 (1), 58 (2009)
А.В. Гайслер, И.А. Деребезов, А.С. Ярошевич, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Письма ЖЭТФ, 97, 313 (2013)
R. Seguin, A. Schliwa, S. Rodt, K. Potschke, U.W. Pohl, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 95, 257402 (2005)
R. Seguin, A. Schliwa, S. Rodt, K. Potschke, U.W. Pohl, D. Bimberg. Physica E, 32, 101 (2006)
M. Povolotskyi, A. Di Carlo, S. Birner. Phys. Status Solidi C, 1 (6), 1511 (2004)
R. Singh, G. Bester. Phys. Rev. Lett., 103, 063601 (2009)
A. Schliwa, M. Winkelnkemper, A. Lochmann, E. Stock, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 80, 161307 (2009)
A. Mohan, M. Felici, P. Gallo, B. Dwir, A. Rudra, J. Faist, E. Kapon. Nature Photonics, 4, 302 (2010)
N. Gisin, G. Ribordy, W. Tittel, H. Zbinden. Rev. Mod. Phys., 74, 145 (2002)
L.H. Li, N. Chauvin, G. Patriarche, B. Alloing, A. Fiore. J. Appl. Phys., 104, 08358 (2008)
T.J. Krzyzewski, T.S. Jones. J. Appl. Phys., 96, 668 (2004)
L. Muller-Kirsch, R. Heitz, U.W. Pohl, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 79, 1027 (2001)
U.W. Pohl, K. Potschke, A. Schliwa, F. Guffarth, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner, M.B. Lifshits, V.A. Shchukin, D.E. Jesson. Phys. Rev. B, 72, 245332 (2005)
S. Panyakeow. Eng. J., 13 (1), 51 (2009)
Z. Gong, Z.C. Niu, S.S. Huang, Z.D. Fang, B.Q. Sun, J.B. Xia. Appl. Phys. Lett., 87, 093116 (2005)
Single Quantum Dots, Fundamentals, Applications and New Concepts, ed. by P. Michler (Berlin, Springer Verlag, 2003)
Single Semiconductor Quantum Dots, ed. by P. Michler (Berlin, Springer Verlag, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель