Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080201 
1Самарский национально-исследовательский университет, Самара, Россия 
Email: shamb@ssau.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
В МДП-структурах на основе германия n-типа формировался диэлектрический слой из ErF3, YF3, NdF3 и TmF3. Показано, что отрицательный эффективный заряд в данных германиевых МДП-структурах не наблюдается, а деградация электрических характеристик и рост плотности поверхностных состояний приводят к увеличению положительного заряда. Положительный заряд, создаваемый на границе раздела германий-фторид редкоземельного элемента, может компенсировать отрицательный заряд оборванных связей на поверхности германия, что потенциально перспективно для модуляции величины и знака заряда в МДП-устройствах на германии.
- A. Molle, S. Baldovino, S. Spiga, M. Fanciulli. Thin Solid Films, 518, S96 (2010)
- В.C. Henkel, P-E. Hellstroom, M. Ostling, M. Stoger-Pollach, O. Bethge, E. Bertagnolli. Solid-State Electron., 74, 7 (2012)
- L.K. Chu, R.L. Chu, T.D. Lin, W.C. Lee, C.A. Lin, M.L. Huang, Y.J. Lee, J. Kwo, M. Hong. Solid-State Electron., 54, 965 (2010)
- S.N.A. Murad, P.T. Baine, D.W. McNeill, S.J.N. Mitchell, B.M. Armstrong, M. Modreanu, G. Hughes, R.K. Chellappan. Solid-State Electron., 78, 136 (2012)
- S. Mather, N. Sedghi, M. Althobaiti, I.Z. Mitrovic, V. Dhanak, P.R. Chalker, S. Hall. Microelectron. Engin., 109, 126 (2013)
- C.X. Li, C.D. Wanga, C.H. Leung, P.T. Lai, J.P. Xu. Microelectron. Engin., 86, 1596 (2009)
- M.B. Shalimova, E.N. Khavdey. Chapter in the book Germanium: Properties, Production and Applications (N.Y., NOVA, 2012) p. 187
- М.Б. Шалимова, Н.В. Сачук, ФТП, 49, 1071 (2015)
- C.G. Van de Walle, M. Choi, J.R. Weber, J.L. Lyons, A. Janotti. Microelectron. Engin., 109, 211 (2013)
- P. Tsipas, A. Dimoulas. Appl. Phys. Lett., 94, 012114 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
