Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge_28.5Рb₁₅S_56.5

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46218.8649

Переводная версия: 10.1134/S1063782618080092

Кастро Р.А.¹, Анисимова Н.И.¹, Кононов А.А.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Email: recastro@mail.ru

Поступила в редакцию: 16 мая 2017 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования процессов диэлектрической релаксации в стеклообразной системе Ge_28.5Рb₁₅S_56.5. Выявлено существование недебаевского релаксационного процесса, обусловленного наличием в системе распределения релаксаторов по временам релаксации согласно модели Коула-Коула. Проведен расчет энергетических и структурных параметров: энергии активации - E_p= 0.40 эВ, дипольного момента молекул - mu=1.08 D. Обнаруженные закономерности объясняются в рамках модели, согласно которой структура халькогенидных стекол представляет собой набор диполей, образованных заряженными дефектами типа D⁺ и D^-.

A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Mater., 3, 703 (2004)
A.K. Kukreti, S. Gupta, M. Saxena, N. Rastogi. Int. J. Innov. Res. Sci. Eng. Technol., 4 (1), 18608 (2015)
R. Chauhan, P. Dwivedi, K.K. Srivastava. DAE Solid State Phys. Symp., 53, 727 (2008)
L.A. Wahab, H.H. Amer. Egypt. J. Solids, 28 (2), 255 (2005)
S. Kurmar, B.R. Mehta, S.C. Kashyap, K.L. Chorpa. Appl. Phys. Lett., 52 (1), 24 (1988)
N.I. Anisimova, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, R.A. Castro. Rad. Eff. Def. Solids, 156, 359 (2001)
P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34 (15), 953 (1975)
G. Bordovsky, V. Bordovsky, N. Anisimova, R. Castro, V. Seldjaev. Abstracts II Int. Mater. Symp. (2003) p. 59
R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, G.I. Grabko. Semiconductors, 43 (3), 365 (2009)
K. Kremer, A. Schonhals. Broadband Dielectric Spectroscopy (Berlin, Springer, 2003)
A.E. Betkheet, N.A. Hegab. Vacuum, 83, 386 (2009)
С.Н. Мустафаева. Журн. радиоэлектрон., 5, 11 (2008)
J.C. Giuntini, J.V. Zanchetta, D. Jullien, R. Eholie, P. Houenou. J. Non-Cryst. Solids, 45, 57 (1981)
G.A. Bordovskii, R.A. Castro. Glass Phys. Chem., 32 (3), 315 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель