Теоретически исследован туннельный транспорт носителей через тонкий слой диэлектрика (для примера рассмотрен CaF₂) между кремниевой подложкой ориентации (111) и полупроводниковым затвором. Наряду с сохранением большого по величине поперечного волнового вектора туннелирующих частиц учтено ограничение на наличие состояний в затворе. Из-за этого ограничения туннельные токи при малых напряжениях на диэлектрике оказываются меньше, чем в аналогичной структуре с металлическим затворным электродом. Эта же особенность обусловливает изменение вида энергетического распределения туннелирующих электронов, причем как при транспорте между зонами проводимости подложки и затвора, так и при переносе зона проводимости Si(111) - валентная зона затвора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.