Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si₂)_1-x(ZnSe)_x (0≤ x≤0.01) гетероструктуре

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46154.8706

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090142

Саидов А.С.¹, Лейдерман А.Ю.¹, Усмонов Ш.Н.¹, Амонов К.А.¹

¹Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Starodubtsev Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Email: kvant.ph@mail.ru

Поступила в редакцию: 16 августа 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур p-Si-n-(Si₂)_1-x(ZnSe)_x (0≤ x≤0.01) при различных температурах. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики таких структур имеют участок сублинейного роста тока с напряжением типа V=V₀exp(Jad). Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольт-амперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения.

A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1976)
P.M. Karageorgy-Alkalaev, I.Z. Karimova, P.I. Knigin, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A, 34 (1), 391 (1976)
А.А. Абакумов, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, И.Е. Каримова, П.И. Книгин, А.Ю. Лейдерман. ФТП, 10 (3), 486 (1976)
M.E. Gilenko, P.M. Karageorgy-Alkalaev, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A, 78 (1), K165 (1981)
В.В. Морозкин. ДАН УзССР, 4, 40 (1976)
А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Б. Сапаев, С.Ж. Каражанов, Д.В. Сапаров. ФТП, 30 (6), 1036 (1996)
Ш.Н. Усмонов, А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ, 56 (12), 2391 (2014)
Ш.Н. Усмонов, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТП, 44 (3), 330 (2010)
Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978)
П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман, В.С. Рубин. ДАН УзССР, 11, 26 (1981)
М.С. Гиленко, А.Ю. Лейдерман, В.В. Морозкин, В.Д. Овсяников. ДАН УзССР, 2, 23 (1982)
А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ДАН РУз, 5, 23 (2008)
В.И. Стафеев. ЖТФ, 28 (9), 1631 (1958)
A.S. Saidov, K.A. Amonov, B.R. Kutlimurotov. Appl. Solar Energy, 52 (1), 1 (2016)
А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, М.У. Каланов, А.Н. Курмантаев, А.Н. Бахтибаев. ФТТ, 55 (1), 36 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель