Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Investigation of the dielectric permittivity and electrical conductivity of Ce₂S₃

Полная версия: 10.1134/S1063782618040322

Zalessky V.G.¹, Kaminski V.V. ¹, Hirai S.², Kubota Y.², Sharenkova N.V. ¹

¹Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Muroran Institute of Technology, Muroran, Hokkaido, Japan

Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru, natasha.sharenkova@gmail.com

Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

The rare-earth semiconductor beta-Ce₂S₃ compound samples were synthesized and their dielectric permittivity and electrical conductivity were measured in the temperature range 90-400 K. The energy-band structure has been determined. It is shown that the long-known large electrical parameter spread of semiconductor compounds close in composition to Ce₂S₃ is explained by the structure of impurity donor levels formed by cerium atoms and ions with different ionization degrees.

A.V. Golubkov, E.V. Goncharova, V.P. Zhuze, G.M. Loginov, V.M. Sergeeva, I.A. Smirnov. Physical Properties of Rare Earth Chalcogenides (Nauka, Leningrad, 1973) [in Russian]
V.V. Kaminskii. Techn. Phys. Lett., 39, 673 (2013)
T. Schleid, F. Lissner. J. Less-Comm. Metals, 175, 309 (1991)
D.O. Neill, R.M. Bowman, J.M. Gregg. Appl. Phys. Lett., 77, 1520 (2000)
Impedance Spectrography Theory, Experiment, and Applications, ed. by E. Barsoukov and J.R. Macdolald (Willey \& Sons, New Jersey, 2005)
S.R. Elliot. Adv. Phys., 36, 135 (1987)
L.N. Vasil`ev, V.V. Kaminskii, M.V. Romanova, N.V. Sharenkova, A.V. Golubkov. Phys. Solid State, 48, 1884 (2006)
V.V. Kaminskii, N.N. Stepanov, M.M. Kazanin, A.A. Molodykh, S.M. Solov'ev. Phys. Solid State, 55, 1074 (2013)
A.F. Ioffe. The physics of semiconductors, ed. by AS USSR (M.-L., 1957)
M. Cutler, N.F. Mott. Phys. Rev., 181, 1336 (1969).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель