"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
Банная В.Ф.1, Никитина Е.В.2
1Московский государственный педагогический университет, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
Email: enikitina@sci.edu.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Представлены результаты расчета зависимостей кинетических коэффициентов ударной ионизации и термической рекомбинации от электрического поля в чистом кремнии. По аналогии с германием рассчитаны зависимости поля электрического пробоя Ebr от степени компенсации материала K. Дано подробное обоснование правомочности такого расчета. Представлены кривые Ebr(K) и проведено сравнение с экспериментальными данными в области слабых компенсаций. Выполнена привязка к экспериментальным результатам, при которой наблюдается удовлетворительное соответствие теории и эксперимента. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45610.8536
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 7 (10), 1972 (1973)
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, Ю.А. Гурвич. ФТП, 10 (3), 452 (1976)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60 (2), 867 (1971)
  • В.Ф. Банная, Е.М. Гершензон, Т.Г. Фукс. ФТП, 13 (2), 264 (1979)
  • В.Ф. Банная, Е.М. Гершензон, Ю.П. Ладыжинский, Т.Г. Фукс. ФТП, 7 (6), 1092 (1973)
  • Э. Конуэлл. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.