Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45454.8546

Переводная версия: 10.1134/S1063782618020124

Пещерова С.М.¹, Якимов Е.Б.², Непомнящих А.И.¹, Павлова Л.А.¹, Феклисова О.В.², Пресняков Р.В.¹

¹Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук, Иркутск, Россия Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Irkutsk, Russia

Vinogradov Institute of Geochemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Irkutsk, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Email: spescherova@mail.ru

Поступила в редакцию: 9 февраля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования по распределению времени жизни неравновесных носителей заряда (tau) в мультикристаллическом кремнии (мультикремнии), выращенном методом Бриджмена из высокочистого рафинированного металлургического кремния. Выявлены закономерности изменения tau, обусловленные особенностями зеренно-граничной структуры слитков. Границы зерен, дислокации и примесные микровключения исследовали методами рентгеноспектрального электронно-зондового микроанализа (РСМА/EPMA) и электронной микроскопии (РЭМ/SEM) с применением селективного кислотного травления. Электрическую активность протяженных дефектов регистрировали методом наведенного тока (НТ/EBIC). DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45454.8546

Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев. Неорг. матер., 39 (7), 775 (2003)
А.И. Непомнящих, Р.В. Пресняков, И.А. Елисеев, Ю.В. Сокольникова. Письма ЖТФ, 37 (15), 103 (2011)
С.М. Пещерова, А.И. Непомнящих, Л.А. Павлова, И.А. Елисеев, Р.В. Пресняков. ФТП, 48 (4), 492 (2014)
С.М. Пещерова, А.И. Непомнящих, Л.А. Павлова. Письма ЖТФ, 40 (22), 30 (2014)
С.М. Пещерова, Е.Б. Якимов, А.И. Непомнящих, Л.А. Павлова, О.В. Феклисова. ФТП, 49 (6), 741 (2015)
S. Tsurekawa, K. Kido, T. Watanabe. Mater. Sci. Eng. A, 462, 61 (2007)
J. Chen, T. Sekiguchi, D. Yang, F. Yin, K. Kido, S. Tsurekawa. J. Appl. Phys., 96, 5490 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель