"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Новый механизм реализации омических контактов
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Конакова Р.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 7 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Для контактов металл-полупроводник с диэлектрическим зазором выполнен анализ высоты барьера в контакте с учетом распределения поверхностных состояний по координате x, перпендикулярной границе раздела диэлектрик-полупроводник. Показано, что при достаточно больших уровнях легирования полупроводника учет пространственной зависимости плотности поверхностных состояний приводит к существенному уменьшению высоты барьера, что способствует реализации омических контактов. Установлено, что эффект понижения высоты барьера тем больше, чем меньше контактная разность потенциалов металл-полупроводник varphims. В случае, когда величина varphims отрицательна, данный эффект может приводить к перемене знака потенциала, т. е. к реализации в области пространственного заряда полупроводника слоя обогащения, даже при большой плотности поверхностных состояний. В свою очередь это способствует проявлению аномальной зависимости удельного контактного сопротивления от температуры, растущего с увеличением температуры. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45333.8618
  • S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. (John Wiley and Sons, 2007)
  • И.М. Лифшиц, С.И. Пекар. УФН, 56 (4), 531 (1955)
  • М.Д. Глинчук, М.Ф. Дейген. ФТТ, 5 (2), 405 (1963)
  • J.M. Palau, M. Dumas. Thin Sol. Films, 191, 21 (1990)
  • В.Г. Божков, С.Е. Зайцев. Изв. вузов. Физика, 10, 77 (2005)
  • А.В. Саченко, О.В. Снитко. УФЖ, 12, 578 (1967)
  • W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Si. J. Vac. Sci. Technol., 17, 1019 (1980)
  • N.F. Mott. Proc. Cambr.: Philos. Soc., 3 (4), 568 (1938)
  • S.E. Swirhun, R.M. Swanson. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-7 (3), 155 (1986)
  • А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова. ФТП, 50 (6), 777 (2016)
  • K. Shenai. IEEE Electron Dev., ED-34 (8), 164 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.