Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с корневым профилем изменения состава (x=0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010232 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vasol@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
Представлены результаты оптимизации конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с большим содержанием In (x=0.05-0.83), получаемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001), с целью улучшения морфологических характеристик его поверхности и структурных свойств, а также снижения приповерхностной плотности прорастающих дислокаций. Наименьшие значения величины шероховатости поверхностного рельефа RMS=2.3 нм (на площади 10x10 мкм) и плотности прорастающих дислокаций 5·107 см-2 получены в образцах, содержащих метаморфный буферный слой с корневым профилем изменения состава по толщине. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45331.8626
- F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484 (1--2), 400 (2005)
- C. Chen, I. Farrer, S.N. Holmes, F. Sfigakis, M.P. Fletcher, H.E. Beere, D.A. Ritchie. J. Cryst. Growth, 425, 70 (2015)
- Ya.V. Terent'ev, S.N. Danilov, J. Loher, D. Schuh, D. Bougeard, D. Weiss, M.V. Durnev, S.A. Tarasenko, M.S. Mukhin, S.V. Ivanov, S.D. Ganichev. Appl. Phys. Lett., 104, 101111 (2014)
- S.V. Sorokin, G.V. Klimko, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, M.V. Baidakova, M.A. Yagovkina, T.A. Komissarova, K.G. Belyaev, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 455, 83 (2016)
- V.A. Solov'ev, M.Yu. Chernov, B.Ya. Mel'tser, A.N. Semenov, Ya.V. Terent'ev, D.D. Firsov, O.S. Komkov, S.V. Ivanov. Tech. Phys. Lett., 42 (10), 1038 (2016)
- F. Romanato, E. Napolitani, A. Carnera, A.V. Drigo, L. Lazzarini, G. Salviati, C. Ferrari, A. Bosacchi, S. Franchi. J. Appl. Phys., 86, 4748 (1999)
- H. Choi, Y. Jeong, J. Cho, M.H. Jeon. J. Cryst. Growth, 311, 1091 (2009)
- Ю.Г. Галицин, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Письма ЖЭТФ, 84 (9), 596 (2006)
- J.J.D. Lee, K.W. West, K.W. Baldwin, L.N. Pfeiffer. J. Cryst. Growth, 356, 46 (2012)
- Y. Asaoka, T. Kanebishi, N. Sano, T. Kaneko. J. Cryst. Growth, 251, 40 (2003)
- D.J. Dunstan, P. Kidd, L.K. Howard, R.H. Dixon. Appl. Phys. Lett., 59, 3390 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
